数字逻辑第二章_new.ppt

* 把与非门的图在黑板上画出。 * 输入端为低电平时的最大电流：输入短路电流（对应与前级的最大压降） * 输入端为低电平时的最大电流：输入短路电流（对应与前级的最大压降） 输入端为高电平的最大电流。与前级级联时，最大压降。 * RL上的最大压降-〉ICC最大电流 * C=1时，VGS1: VDD-0VDD-VIVTN - VGS1VTN,T1导通； VGS2：VDD-0VI-0IVTPI - VGS2IVTPI,T2导通。 * Vi和ID、VD的波形 开通时间 ： 关断时间 ： = + MOS管的开通和关闭时间比双极型晶体管长，即其动态特性相对要差一些 。 * 2.7.2 CMOS反相器 CMOS反相器由一个NMOS管VT1和一个PMOS管VT2构成。 两个互补管的栅极连在一起作为 输入端，两个管的漏极连在一起 作为输出端，电源电压VDD需大 于VT1和VT2管开启电压的绝对值 之和，即： * ① CMOS反相器的工作原理 当输入低电平为0V时， VGS1=0V，VT1截止，而此时 VT2导通，输出为高电平； 当输入为高电平5V时，VT1通，VT2止，输出为低电平。 * ② CMOS反相器的性能 电压与电流传输特性 在Vi较小时，ViVTN，VT1截止，VT2导通， 流过管子的电流为0，输出高电平接近于 输出电压如右图中的第I段。 * 当输入电压增加到ViVTN，时，VT1开始导通，电路开始有较小的电流通过。于是输出电压开始下降，对应曲线的第II段。 * 输入电压再增大，达到图中0.5VDD附近，VT1和VT2都工作在饱和区，有较大电流通过。为曲线的III段。 曲线的IV段和V段类似曲线II段和I段。 * 由图可见，特性曲线在=0.5VDD附近几乎是垂直的，因此高、低电平噪声容限都比较大。 由于目前CMOS工艺水平不断提高，反相器两个互补管的一致性越来越好，所以高、低电平噪声容限都比较大。 CMOS反相器的噪声容限可达电源电压的45%左右，具有较高的抗干扰能力。因此CMOS很适合于要求抗干扰能力高的场合。 从CMOS的电流与电压关系曲线可知，反相器只在过渡区域出现较大的电流。输出高电平和低电平时，电流几乎为零。因此CMOS静态功耗极小。 * 静态输入特性（反映vI和iI关系曲线） 若vI正向过大，vIVDD+0.7V，则D2导通，vG=VDD+0.7V，保证加到C2上的电压不会超过VDD+0.7V，不会被击穿。 若vI负向过大，vI－0.7V，则D1导通，vG=－0.7V，保证加到C1上的电压不会高于-0.7V，不会被击穿。 CMOS反相器的输入电路 * －0.7VvIVDD+0.7V时，D1、D2都不导通，iI 0； vIVDD+0.7V时，D2导通，iI0；vI －0.7V时，D1导通，iI0。 输入电流基本为0，故CMOS门带同类负载门的扇出系数很大。 CMOS输入端通过电阻接地时，对电阻值无限制；输入端悬空时，输出＝1/2VDD，故CMOS门输入端不允许悬空。 * 静态输出特性 （1）低电平输出特性 负载加重（RL减小）使IOL增加，输出低电平会被抬高；VDD越大越好。 * (2) 高电平输出特性 负载加重（RL减小）使|IOH|增加，输出高电平会下降；VDD越大越好。 * CMOS反相器具有输入阻抗高的特点，加上对电容负载充、放电都很快，因此CMOS反相器带同类门负载时比TTL电路具有更大的扇出系数。一般一个输出端可带50个同类门电路。但是若用CMOS门来带动纯电阻负载或TTL门电路（注意电平），负载能力还是较小的。这时需要用CMOS驱动器，提供输出较大的负载电流。 * 动态特性（动态功耗） CMOS反相器处于静态时，无论输出高电平还是输出低电平，总有一个管截止，电源向反相器只提供很小的漏电流，故静态功耗很小。但在动态转换时，在极短时间内有相对较大的电流通过电路。根据理论计算，CMOS反相器的动态功耗： 设工作频率f=1MHZ，CL =50Pf，VDD=5V,则PD=1.2mW，可见总功耗决定于动态功耗。 通常在一个数字系统中，始终高速率工作的单元不多，就整个系统来说，CMOS集成电路功耗是微小的，集成度越高，系统功耗越小。 * 2.7.3 CMOS门电路 ⑴ 与非门 ▲由两个串联的NMOS管VT1和VT2以及两个并联的PMOS管VT3，VT4组成。 ▲当输入均为高电平时， VT1和VT2导通，VT3和VT4 截止，输出F为低电平。 ▲当A、B中只要有一 个为低电平，VT1和 VT2中有一个截止， VT3，V