- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于ANSYS的TO-220封装功率器件热特性校准及优化设计.pdf
第38卷 第4期 电 子 器 件 V01.38 No.4
2015年 8月 ChineseJournalofElectronDevices Aug.2015
ThermalCharacteristicCalibrationandOptimizationofTO-—-220
PackagePowerDeviceBasedonANSYSSoftware
WANGJianfeng,LIUSiyang,SUNWeifeng
(NationalASICSystemEngineeringTechnologyResearchCenter,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China)
Abstract:TheANSYS software iSused to establish the3D modeloftheTO一220packagepowerdeviceand
calibratethemode1.ThecalibrationprocessiStostudytheeffectsuponthemodelaccuracyfrom thepresenceorab—
senceofPCB,thethicknessoftheheatsourceandthepresenceorabsenceoflead.Basedonthecalibratedmode1.
theeffectsupontheheatdissipationrfom theareaoftheadhesivelayer,thepositionofthechiprelativetothesub—
strateandthebaseareahavebeenalsoinvestigated.Theresultsshow thatthesizeofthesolderlayerbasicallyhas
noinfluenceontheheatdissipation,thechipdieattachprocessshouldtrytoplacethechipinthemiddleanddown
position,moreover,thelargertheareaofthesubstrate,thebetterthedissipationeffectwillbe.
Keywords:TO一220package;ANSYS;powerdevice;calibration;optimization
EEACC:0170J doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2015.O4.003
基于 ANSYS的TO-220封装功率器件
热特性校准及优化设计术
王剑峰,刘斯扬,孙伟锋
(东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096)
摘 要 :针对TO一220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源
厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层面积、芯片相对于基板位置以及基板面积与散热
效果的关系。分析结果表明,焊料层面积大小对散热基本没影响,芯片在粘片工艺中应尽量把芯片放置在中间往下方位置 ,
而基板面积越大,芯片散热效果越好。
关键词 :T0—220封装;ANSYS;功率器件;校准;优化
中图分类号:TM313.4 文献标识码 :A 文章编号:1005—9490(2015)04—0734—05
近年来 ,由于半导体技术的蓬勃发展,功率器件 较小、真实应用环境的实验模拟困难等因素制约,使
逐渐朝着大功率、小尺寸及低成本的方向发展,芯片 得采用实验方法进行 电子封装研究的进展缓慢,因
的发热密度显著提升,封装散热性能对于保证芯片 此,采用有限元软件进行数值模拟的方法得到了迅
安全可靠地工作变得越发重要。实践证明,芯片失 速的发展 。
效率随着温度升高急剧上升,结温大约每升高 1O
您可能关注的文档
最近下载
- T_ZZB 3785-2024 中小学生午休课桌椅.docx VIP
- [美的空调]2017美的中央空调设计选型手册(上).pdf
- 预防艾滋病、梅毒和乙肝母婴传播登记及随访表.docx
- 高考数学母题:三角函数.doc VIP
- 义务教育版(2024)五年级信息科技 第29课 智能工具再体验 教案.docx VIP
- 第二单元+第2课+科技之光+课件 +2024—2025学年人教版(2024)初中美术七年级上册+.pptx VIP
- 【外研版】(三起)五年级英语上册(全册)同步训练(含答案).pdf VIP
- 黑色素瘤诊疗指南(2025年版).docx VIP
- 人教版信息科技五年级全一册 第29课 智能工具再体验 课件.pptx VIP
- 【抗战胜利80周年】2025中国人民抗日战争胜利80周年铭记历史吾辈自强.pptx VIP
文档评论(0)