非线性微波电路与系统——第二章：非线性模型.pptVIP

Company name FET本征参数提取 公式： 三极管建模 非线性微波电路与系统 Company name 非线性微波电路与系统 提取参数：Cgs0、Cgd0、Cds、Ris和? 测试数据：多组偏置相关的s参数 参数提取方法：采用优化的方法， 例如：梯度法，牛顿法，遗传算法等 三极管建模 Company name LOGO 非线性微波电路与系统 电子工程学院 电磁场与微波技术 主讲人： 徐锐敏 （教授） Company name 非线性微波电路与系统 微波有源器件 电真空器件 （体积大，高压，寿命短，仅用于 高功率场合） 半导体器件 微波二极管： 肖特基势垒二极管（混频、倍频），变容二极管（VCO），阶跃恢复二极管（倍频），PIN二极管（控制电路），耿氏Gunn二极管（振荡器），雪崩Impatt二极管（振荡器）等 微波三极管 微波二极管 微波三极管： BJT，FET，MESFET，HBT，HEMT，pHEMT等 非线性固态器件模型 Company name 非线性微波电路与系统 半导体材料 元素半导体（第一代）：Si，Ge，Se 化合物半导体（第二代）：GaAs，InP （第三代）：SiC和GaN（宽禁带）：功率高，耐高温，抗辐射，功率密度大，工作电压高 固溶半导体：Si(1-x)Gex, Ga(1-x)AlxAs, In(1-x)GaxAs(1-y)Py 非线性固态器件模型 Company name YOUR COMPANY NAME or YOUR SITE ADDRESS 宽禁带半导体定义：禁带宽度大于 2.2eV 的半导体材料 。 4.1半导体材料特性参数 非线性微波电路与系统 半导体材料与MMIC的性能 第一代半导体：Si、SiGe 第二代半导体：GaAs、InP 第三代半导体： 宽禁带（高功率）：SiC、GaN 窄禁带（高频、低功耗、低噪声）：InSb 非线性微波电路与系统 Company name 非线性微波电路与系统 固态器件的非线性等效电路模型 线性元件（R，C，L）＋ 非线性元件（C ，R 或 G，受控源） 建模准则： 集总参数模型，采用准静态法，具体要求： （1）模型在很宽的频带内有足够的精度。 （2）在满足精度的要求下，模型越简单越好。 （3）固态器件必须能够比较容易的确定模型的有关参数。 非线性固态器件模型 Company name 替代定理 非线性微波电路与系统 线性 替代定理：特性为I=f(v)的一个线性或非线性电阻元件和它特性相同的一个受控电流源等效。 Company name 非线性微波电路与系统 非线性 结论： 将非线性元件归结为两大类 ? 非线性电容和非线性受控电流源（或电压源）元件 替代定理 Company name 非线性电导或电阻 非线性微波电路与系统 I=f（v） 而 V＝V0＋v（t） 用台劳级数在V0展开 同样可以推广到两个交流激励 的情况 Company name 非线性电容 非线性微波电路与系统 同理可得： 推广： 准线性： 式中 非线性电容两端的电荷与电压的非线性关系为 Company name 肖特基势垒二极管 非线性微波电路与系统 本征非线性等效电路 （二极管管芯） Company name 非线性微波电路与系统 耗尽层宽度： 式中 －扩散电压 Nd －掺杂浓度 q－电子电荷 结电荷函数： 结电容函数： 式中 Cj0 －零偏压结电容 r一般为1/2，当r＝1/3时称为线性缓变结 肖特基势垒二极管 Company name 非线性微波电路与系统 直流I/V特性表达式： 称为理想化因子，其值大于1，良好制做的二极管约为1.2 肖特基势垒二极管 Company name 砷化镓场效应晶体管GaAs MESFET 非线性微波电路与系统 源极 栅极 G 漏级 Vds Vgs Company name 非线性微波电路与系统 砷化镓场效应晶体管GaAs MESFET Company name 非线性微波电路与系统 场效应三极管 的非线性等效电路 GaAs MESFET 的非线性等效电路 Company name 非线性微波电路与系统 半导体器件非线性等效电路模型种类： （1）物理基模型（纯理论方法） 由材料特性和器件结构，通过量子力学和电磁场理论等求解出等效电路模型及参数。 难度极大，理想方法。 （2）经验基模型（拟合方法）。 [S]s（针对特定的电压、电流和输入功率）＋I/V（直流） 求解出等效电路中的参数 是目前最有效的、最常用的方法。 相关参考文献见下