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一 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体(电子型半导体)：掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。主要载流子为自由电子。 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 N 型半导体中的载流子 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 P 型半导体(空穴型半导体)：掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。主要载流子为空穴。 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散和漂移，在它们的交界面处就形成了PN 结。 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。因此扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动， 空间电荷区的厚度固定不变。 注意: 1.空间电荷区中没有载流子。 2.空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴.N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3.P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。 PN结加正向电压　导通 内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。 内电场减弱，使扩散加强，扩散 大于飘移，正向电流大 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 PN结加反向电压　截止 内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小 二 半导体二极管 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 今后约定为： 硅管0.7V 锗管0.2V 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 常温下（T=300K） 主要参数 最大整流电流 IOM反向击穿电压UBR 3. 反向电流 IR以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想