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第4章 场效应管及其基本放大电路 4.1.1 场效应管的分类 耗尽型 4.2.1 场效应管的直流偏置电路与静态分析 4.1.4 场效应管的主要参数 1. 直流参数 (1)开启电压UGS(th) (2)夹断电压UGS(off) (3)漏极饱和电流IDSS和IDO (4)直流输入电阻RGS 2. 交流参数 (1)低频跨导gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力，单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS)。相当于转移特性上工作点的斜率。是表征FET放大能力的一个重要参数。 （2）输出电阻rds 说明uDS了对iD的影响。是输出特性某一点上切线斜率的倒数。 （3）极间电容 3. 极限参数 (1)最大漏极电流IDM (2)最大耗散功率PDM (3)最大漏源电压UBR(DS) (4)最大栅源电压UBR(GS) 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管放大电路的分析包括静态分析和动态分析。 场效应管三极 g 栅极(控制极) s 源极 d 漏极 基 极 b 发射极 e 集电极 c 晶体管三极 场效应管 共源极放大电路 源极输出器 共射极放大电路 射极输出器 晶体管 4.2 场效应管放大电路 1．自给偏置电路 （1）计算法。 ① 列出输入回路电压方程 ② 假设管子工作在恒流区，由耗尽型场效应管的电流方程可得 ③列出输出回路电压方程 ④验证假设是否成立。 Q (UGS ID UDS) 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误。 再假设工作在可变电阻区， 电子与通信工程系 电子学教研室 模拟电子技术基础 A 4.3 场效应管放大电路的频率响应 4.1 场效应管 4.2 场效应管放大电路 一、理解场效应管JFET、MOSFET的原理、特性曲线和主要参数。 二、掌握场效应管放大电路的分析及其应用。 三、了解场效应管放大电路的频率响应。 本 章 要 求 BJT是一种电流控制器件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应晶体管（Field Effect Transistor简称FET）:是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高,抗辐射能力强等优点，得到了广泛应用。 4.1 场效应管 场效应管结构 结型场效应管 （JFET） P沟道 N沟道 金属-氧化物-半导体场效应管 （MOSFET，绝缘栅场效应管） 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管三极 g 栅极(控制极) s 源极 d 漏极 基 极 b 发射极 e 集电极 c 晶体管三极 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 金属电极 一. N沟道增强型MOS管 栅极G 源极S 4.1.2 绝缘栅型场效应管 P型硅衬底 高掺杂N区 SiO2绝缘层 符号： G S D 衬底 B 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 1. N沟道增强型管的工作原理 ①当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管。 S D ③当uGS＞vT时，由于栅极电压较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，形成一个N型沟道，将漏极和源极沟通。称为反型层。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。 N型导电沟道 在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 (1) 栅源电压uGS的控制作用 ②当uGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层，同时排斥P型衬底中的空穴。 N型导电沟道 在UGS=0V时ID=0，只有当UGS＞UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 开启电压（ UGS(th)）——刚刚产生沟道所需的栅—源电压。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UGS(th) ，管子截止， uGS ＞ UGS(th) ，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流iD越大。