模电第九章09场效应管电路.ppt

(1-*) 设：UGUGS 则：UG?US 而：IG=0 所以： +UDD+20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150K 50K 1M 10K 10K G D S 10K (1-*) 动态分析： Ugs Ui Ugs gm Uo Id ri ro s g R2 R1 RG RL? d RL RD (1-*) ro=RD=10K s g R2 R1 RG RL? d RL RD (1-*) 9.4.3 共漏组态基本放大电路 共漏组态基本放大电路如图03.32所示 图 32 共漏组态放大电路 图33 直流通道 其直流工作状态和动态分析如下。 (1)直流分析 将共漏组态基本放大电路的直流通道画于图 33之中，于是有 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQR IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VGS(off))]2 VDSQ= VDD－IDQR 由此可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 (1-*) (2)交流分析 将图(a)的CD放大电路的微变等效电路画出，如图(b)所示。 (b) 共漏放大电路的微变等效电路 ①电压放大倍数 比较共源和共漏组态放大电路的电压放大倍数公式，分子都是gmRL，分母对共源放大电路是1，对共漏放大电路是(1+ gmRL)。 ②输入电阻 (a) (1-*) ③输出电阻 计算输出电阻的原则与其它组态相同， 将图34改画为图35。 求输出电阻的微变等效电路 (1-*) 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) (1-*) 例: 源极输出器 动态分析 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150K 50K 1M 10K D S C2 G 10K (1-*) 微变等效电路： ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS (1-*) 求ro 加压求流法。 ro ro? g R2 R1 RG s RS (1-*) 9.5.4 三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD be L L be L be L + = CB ) 1 ( ) (1 = CC = CE r R β A R β r R β A r R β A v v v ￠ ￠ + + ￠ + ￠ - ： ： ： 电压放大倍数 AV (1-*) 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻 Ri CB: CC: CE: CS：Rg1 // Rg2 CD：Rg+ (Rg1 //Rg2 ) CG：R//(1/gm) Re//[rbe/(1+?)] (1-*) 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻 ro CS：rds // Rd CD：R//(1/gm) CG：Rd (1-*) * * * * * * (1-*) 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA (1-*) 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 击穿区：UDS过大，ID急剧增加。 (1-*) 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 转移特性： ID=f（ UGS ）| u=常数 (1-*) （3） N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0