热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响 effects of annealing atmosphere on bulk micro-defects in czochralski silicon wafer.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 V01．28No．6 CHINESE 2007年6月 JOURNALoFSEMICoNDUCToRS June，2007 热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响* 崔 灿1’2’t 杨德仁2 马向阳2 (1浙江理工大学物理系，杭州310018) (2浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘要：研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响．实验结果表明，经过低．高退火处理 的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火。氧沉淀会部分溶解，其溶解量与热处理气氛没有明显的关系，但不同气 氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同．并对此现象的机理进行了讨论，认为热处理气氛影响了硅片中点缺 陷的分布从而影响到BMDs的分布．此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义． 关键词：直拉硅}氧沉淀；内吸杂 · 。 PACC：6280C，6170Q}6170T ‘ 中图分类号：TN304．1+2文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)06．0865．04 1 引言 成的影响都没有报道． 本文对CZ硅片进行了Lo—Hi．Hi三步退火处 在直拉(CZ)硅单晶的生长过程中，由于石英坩理，研究高温热处理气氛对氧沉淀消除和DZ形成 埚的溶解，导致在硅单晶中存在一定浓度的氧．氧杂 的影响．实验结果表明，不同的热处理气氛对氧沉淀 质的存在不但能大大提高硅片的机械强度，而且在 的溶解没有明显的影响，但对硅片中BMDs沿截面 退火过程中能在硅片体内生成大量的氧沉淀和诱生 的分布却有明显的影响．本文在热处理气氛影响硅 缺陷等体缺陷(BMDs)，从而有效地吸除硅片表面片中点缺陷的类型和分布的基础上对以上实验结果 的金属杂质，提高集成电路的成品率[1]．硅片的内吸 进行了详细的讨论，并可以为结合器件工艺的L0- 杂工艺可以是高．低．高(Hi．Lo．Hi)退火也可以是低Hi—Hi多步退火内吸杂工艺中热处理气氛的选择提 供指导． ．高(Lo-Hi)或者低．高．高(Lo．Hi—Hi)退火等[z～43， 这主要取决于器件热处理的工艺，即在器件制造的 同时又能在硅片体内形成大量BMDs并且在硅片2 实验 表面形成洁净区(DZ)． 直拉硅片中最常用的内吸杂工艺是Hi．Lo．Hi 三步退火[2]，即首先通过高温处理使硅片近表面的 氧原子外扩散，形成DZ，然后通过Lo．Hi退火在硅双面抛光后，硅片中初始间隙氧浓度([o；])由 BrukerIFS66 片体内形成具有吸杂能力的氧沉淀及其诱生缺陷． v／S型傅里叶红外测试仪(FTIR)测 但是有些器件工艺要求高温处理在多步中低温热处 得为1．1x 理之后，同时又要求形成DZ．我们知道，硅片经过 1017cm～． 多步中低温热处理之后会在体内形成大量的氧沉淀 硅片热处理工艺如图1所示，样品首先在Ar 和诱生缺陷，这就要求高温热处理能充分地消除硅 片近表面处的BMDs，形成DZ．以前的研究表 明[5川]，在Hi—Lo-Hi内吸杂工艺中，不同的热处理 气氛会影响DZ的宽度和硅片中BMDs的分布，如 氮化气氛中处理的硅