电力电子第2章器件.ppt

B、 过电流保护 1、 快速熔断器 2、 过电流继电器 3、 电子保护电路 4、 直流快速开关 电力电子装置的过电流保护 返回 C、 缓冲电路 缓冲电路在开关器件开关过程中限制di/dt和du/dt ，使器件电压电流均不能突变，从而避免了大电流和 高电压的同时短暂重叠使开关损耗减小。 开关轨迹 缓冲电路 返回 三、电力电子器件的串并联 A、 串联晶闸管的均压 1、 静态均压 2、 动态均压 B、 并联晶闸管的均流 并联晶闸管由于通态电阻不等或开通和关断时间 不一致也可能造成静态不均流和动态不均流问题，为 了达到均流目的可以在各晶闸管上串联均流电抗器。 晶闸管串并联 返回 本章小结 本章介绍了目前常用电力电子器件的原理、特性和主要参数，并介绍了器件的驱动、保护和串并联等有关内容。 电力电子器件的导通和关断需要满足一定条件，变流器的换流与这些条件有关。 电力电子器件有导通损耗和开关损耗，这些损耗在高频工作时不可忽视，电力电子器件在使用中要注意散热条件并安装散热器，采用缓冲电路和软开关技术是减少开关损耗的重要措施。 * * * 四、 其它晶闸管类器件 1、 快速晶闸管 　　快速晶闸管（Fast Switching Thyristor－FST）的原理和普通晶闸管相同，其特点是关断速度快，普通晶闸管的关断时间为数百微秒，快速晶闸管关断时间为数十微秒，高频晶闸管可达10μs左右，因此快速晶闸管主要使用在高频电路中。 2、 逆导型晶闸管 　　一种将晶闸管反并联 一个二极管后制作在同一 管芯上的集成器件。常用 在大功率的斩波电路中。 3、 光控晶闸管 　　一种用光触发导通的晶闸管，其工作原理类似于光电二极管 。主要应用在高电压大功率场合，比如高压直流输电。 返回 一、电力晶体管GTR 二、电力场效应晶体管 三、绝缘栅双极型晶体管IGBT 四、其它新型全控型器件和模块 返回 2.3 全控型电力电子器件 一、电力晶体管GTR 一种耐压较高电流较大的双极结型晶体管. GTR的主要参数有: （1）最高工作电压 　（2）集电极最大允许电流ICM （3）集极最大耗散功率PCM　。 为了提高GTR的电流能力，大功率GTR都做成达林顿管。 目前在大多数场合GTR已经为性能更好的电力场效应管和IGBT取代. 返回 二、电力场效应晶体管 电力场效应晶体管（Power－MOSFET）是一种大功率的场效应晶体管。 场效应晶体管有: 源极S(Source)、漏极D(Drain)和栅极G(Gate)三个极。 。 MOSFET原理图 电力场效应晶体管分类 　（1）结型场效应管结型场效应管 利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变漏极、源极之间的导电沟道宽度，从而控制漏、源极间电流的大小。 N沟道结型场效应管 （2）绝缘栅型场效应管，绝缘栅型场效应管利用栅极和源极之间电压产生的电场来改变半导体表面的感生电荷改变导电沟道的导电能力，从而控制漏极和源极之间的电流。 　　在电力电子电路中常用的是绝缘栅金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 考虑极间电容P-MOSFET管的等效模型 　　MOSFET按导电沟道可分为P沟道（载流子为空穴）和N沟道（载流子为电子）两种。　　当栅极电压为零时漏源极间就存在导电沟道的称为耗尽型。　　对于N沟道器件，栅极电压大于零时才存在导电沟道的称为增强型；　　对于P沟道器件，栅极电压小于零时才存在导电沟道的称为增强型。　　在电力场效应晶体管中主要是N沟道增强型。 A、主要特性和参数 1、转移特性 2、输出特性 3、主要参数 1、转移特性 这是反映漏极电流ID与栅源极电压UGS关系的曲线，UT是MOSFET的栅极开启电压也称阈值电压。转移特性的斜率称为跨导gm。 返回 转移特性 2、输出特性 在正向电压（漏极D“＋”，源极S“－”）时加正 栅极电压UGS，有电流ID从漏极流向源极，场效应管导 通。其输出特性可分四个区。MOSFET的输出特性如图： 输出特性 　3、主要参数 （1） 通态电阻Ron 定义：在确定的栅压UGS时，MOSFET从非饱和区进入饱和区时的漏源极间等效电阻。 通态电阻影响MOSF