电力电子器件45章.ppt

第四章 晶闸管（Thyristor） 第一节 晶闸管的工作原理与特性 第二节 特种用途晶闸管 第三节 晶闸管的应用基础 第一节 晶闸管（Thyristor）的工作原理与特性 第二节 特种用途晶闸管 第三节 晶闸管应用基础 第五章 自关断双极器件 第一节 电力晶体管(GTR) 第二节 门极可关断晶闸管(GTO) 第一节 电力晶体管GTR) 第二节 门极可关断晶闸管(GTO) 1. 通态时的集－射极间电压称为饱和压降: UCES小于 UBES 。当二者相等，即 UBC ＝0时， 为临界饱和状态。 2. 电流放大系数β: 在放大区恒定，趋于饱和区时， β 减小；在深饱和区时， β 最小。 3. 电流放大系数 β 的特性: A. 在相同温度下: UCE 增大 → 有效基区宽度缩小→ 电流放大系数β增大。 B.在相同 UCE 下: 在 IC小时，温度升高→ 电流放大系数增大； 在 IC大时，温度升高→ 电流放大系数减小 （有利于GTR并联均流）。 C.在相同 UCE 和温度下: 在较小 IC 时，随 IC 增大→ β 增大； 在较大 IC 时，随 IC 增大→ β 减小（大注入效应）。 D.当集电极与发射极反接时，β 极小。 轻掺杂区C与重掺杂区E不能互换使用。 (二).开关特性:(见94页, 图4-6) 1.导通: 基极输入正向基极电流 →集电极电流上升 → GTR导通。 开通时间 ton ＝ 延迟时间 td ＋ 上升时间 tr 。 在延迟时间内→ GTR仍截止→基极电流 Ib 对发射结 扩散电容 Cd e 充电→发射结正偏，但小于Ube 0.7伏 → Ic 上升至0.1Ics。 （提高 Ibf 或提高 dib/dt ,可缩短延迟时间td ）。 在上升时间内 → Ube 增大→ 电子注入增多 → 浓度梯度增大→ Ic 增至0.9Ics→ 集电结反偏电压 降低，趋于0伏→ GTR进入临界饱和状态。 2. 关断:（饱和→截止） 关断时间 t off ＝存储时间 ts ＋下降时间 tf 。 在存储时间 ts 内，IC 并未明显下降（因为集电区 和基区存在超量储存载流子）。 GTR饱和标志：空穴在基区和集电区的超量积累。 存储时间的长短，取决于超量空穴的多少和消失的快慢。 一般的，电流放大系数β越大， ts越长。 见:95页公式（4-6） GTR在开关态转换时，经过放大区的时间必须尽可能 短，否则，功耗很大。一般将正向基极电流 IBF 控制在略大于 ICS/β 的条件下→这样 ts 减小 （因为 ts 是四个开关时间中最长的）。 五. SCR特性参数表: 见书P72。 一. 快速晶闸管（FST）──工作频率大于400赫兹。 1. 要求: 关断时间 tq 小于50微秒；通态压降低； 开关损耗小；di/dt 容量高；dv/dt 耐量高。 2. 晶闸管高频应用的主要问题： 高频应用时，其电流容量 di/dt 下降，因为: 频率升高 → 开关功率损耗增加。 频率升高 → 器件有效阴极面积减小 →热阻增大。 3. 采用强门极驱动 → 降低 PSW 。 4. 主要用于中频感应加热电源。 第二节 特种用途晶闸管 二. 逆导晶闸管（RCT）──不对称晶闸管。 1. RCT── Reverse Conduction Thyristor 晶闸管和二极管反并联 集成于一硅片上。 2. RCT集成器件比分立RCT的优点: 体积小，高温特性好； 将大电