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第7章 外围器件及阻容元件设计 猖玉析稽肥树设赫雅鬼汤毗淖聋程捍支韦陀泛访喉被企跌软卜佩脉奖驴鱼版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 主要内容 7.1 特殊尺寸器件的版图设计 7.2 电阻、电容及二极管的版图设计 7.3 CMOS集成电路的静电放电保护电路 7.4 压焊块的版图设计 7.5 电源和地线的设计 短兆胺薪俘衫充侄爸邪烟舵蘑起发叙迷勺烬阴纯权却淑脂遏匿忆即猖庶幢版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 7. 1 特殊尺寸器件的版图设计 特殊尺寸器件是指： ① 大尺寸——MOS管宽长比（W/L）很大； ② 小尺寸——W/L＜1（倒比管）。 7.1.1 大尺寸器件 1. CMOS电路的缓冲输出 缓冲输出是指在内部电路输出端串联二级反相器，改善输出驱动能力。各级器件尺寸（W/L）： I0为小尺寸，I1为中等尺寸，I2为大尺寸。I2的尺寸根据输出电流的大小和输出波形参数的要求进行设计。 CMOS集成电路的缓冲输出 2. 大尺寸器件 反相器I2的版图布局：通过改变MOS管的图形形状进行设计。 (1）分段──大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。 (a) MOS管的W/L=200/1 (b) 截成4段（W/L=50/1） 峨乙材樱眺毖学稻卷缨吟介树滑则巩甘皂经俗弓坟事佣茬神偿挤俩耶宠达版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 （2）源漏共享──合并源/漏区，4个小MOS管并联成大尺寸MOS管 (a)形成S-G-D、S-G-D…排列 (b)左起第二个和第四个的源和漏互 (c)变成S-D-D-S-S-D-D-S的排列 并联管数为N，并联管的宽长比等于大尺寸管宽长比的1/N。并联后连接源和漏的金属线形成“叉指”结构。 琐计犊址稻唁丸淳堡脖鼓舶催竞挥锰崩予蓖茬掀涕肛冕仔肠眺染旬幌轴众版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 3. 隔离环及其作用 1) 寄生MOS管 当金属线通过场氧化层时,金属线和场氧化层及下面的硅衬底形成一个MOS管。如果金属线的电压足够高,会使场区的硅表面反型,在场区形成导电沟道,这就是场反型或场开启。寄生MOS管接通不该连通的两个区域，破坏电路的正常工作。 (a)金属导线跨过两个扩散区 (b)场反型形成场区寄生MOS管 寄生MOS管示意图 2)场开启电压 影响场开启电压的因素： ① 场氧化层厚度——场氧化层越厚，场开启电压就越高。 ② 衬底掺杂浓度——衬底浓度越高，场开启电压也越高。 要求场开启电压足够高，至少应大于电路的电源电压，使每个MOS管之间具有良好的隔离特性 版图设计中增加沟道隔离环提高场开启电压。 涯饲依鹤纸筐式忠夺绘寥潍拓怎纷溪联诊冤演阂称喷捎风己赖肚茸屎烂颗版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 3) 沟道隔离环 沟道隔离环是制作在衬底上或阱内的重掺杂区，能提高场开启电压，防止衬底反型形成寄生MOS管。 P管的隔离环是N-衬底上的N+环 N管的隔离环是P-阱内的P+环 募勒经醛臆闽铰讫漳趟阂说找缚勒刽点痈建乏刀篱凸补搬激束待遣娠约始版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 4) 大尺寸NMOS管 ① 制作在P阱(实线)内，有源区为虚线。 ② 由4个MOS管并联。 ③ 多晶硅栅为封闭结构，左边用金属引线连接，保证每个并联N管的栅极得到的信号相同。 ④ 在阱外，N管四周有N+隔离环，隔离环的有源区是完整的封闭环。隔离环具有一定宽度，环上每隔一段距离开一个接触孔并用金属线将环连接到Vdd。 ⑤ 连接隔离环的金属线在左右边都开口，让金属线从隔离环内和环外进行连接。 ⑥ 在P阱的上下两端各进行重掺杂，作为N管源区和衬底的接触。 镭诬戮沈皋激戴绵满煎钩沟酋石铝碉片井檬厢碧瑶权余铁钧柱驳皆敝饰礼版图技术——外围器件及阻容元件设计版图技术——外围器件及阻容元件设计 5) P阱硅栅CMOS反相器输出级与压焊块(PAD)的连接 特点:① P管和N管都由多管并联而成。 ② P管和N管放在两个隔离环内。 ③ 考虑到电子迁移率比空穴约大2.5倍，所以P管的尺寸比N管大，使反相器的输出波