位移传感器演示装置的制作-物理通报.PDFVIP

年第 期 物理通报 物理实验教学 2016 8 位移传感器演示装置的制作 郭 俊 唐亚明 刘 爽 吕翔雲 ( ) 青岛科技大学数理学院 山东 青岛 266042 ( : ) 收稿日期 2016 03 11 : 、 摘 要 通过自制的位移传感器演示装置可以对霍尔磁阻效应 一种小位移测量传感器原理和方法进行演示和 、 , , 探究 在课堂教学 课程设计等场合 直观显示霍尔元件的各种效应和技术应用 有着良好的教学效果 . . : 关键词 霍尔元件 磁阻效应 位移测量 , , 漂移路程增加 将使整个电阻增加 显示出磁阻效 1 引言 应 可见半导体材料的磁阻效应是由于载流子速度 . , 我们通过自制的实验装置 实现位移量到电信 统计分布的结果. , 号的转换 演示了霍尔元件的磁阻效应和基于这种 效应的一种应用 给物理实验教学带来了很好的效 . 果. 2 原理 通有电流的半导体置于与电流方向垂直的磁场 , , 中 在垂直于电流和磁场的方向上 半导体两侧之间 , 图 电子在磁场中运动的情况 会产生一横向电压 这种现象称为霍尔效应 半导体 1 . , 在产生霍尔电压的同时 由于磁场对载流子的作用 , 改变了载流子的运动轨迹 使得通过霍尔元件的电 , , 流密度下降 即半导体电阻率增大 这就是半导体的 磁电阻效应 磁阻效应是半导体材料非常有用的效 . , 应 以 型半导体为例 电子在互相垂直的电场和 . N , 磁场中 由于受到电场力和洛伦兹力的作用呈摆线 , , 运动 如图 所示 电子因弧形运动 走过的路程增 1 . , , , 加 散射几率增大 平均自由程缩短 从而引起电流 图2 电子偏转示意图 、 , 密度下降 电阻率增加 理论分析表明 若不考虑载