开关电源原理、设计及实例陈纯锴电子教案(版本)第7章.pptVIP

TOPSwitch Ⅱ系列具有以下性能特点： (1)输入交流电压和频率的范围极宽。固定电压输入时可选110V／115V／230V交流电，精度±15％，宽电压范围输入时，适配85V～265V交流电，但POM值要比前者降低40％。 (2)开关频率的典型值为100kHz，允许范围是90kHz～110kHz，占空比调节范围是1.7％～67％。 (3)温度范围0-70摄氏度，最高结温135摄氏度。 (4)电源效率可达80％左右，比线性集成稳压电源提高了近一倍。 TOPSwitch-Ⅱ将脉宽调制（PWM）控制系统的全部功能集成到三端芯片中，内置脉宽调制器、功率开关场效应管（MOSFET）、高频振荡器、自动偏置电路、保护电路、高压启动电路和环路补偿电路等，内部结构如图7-24所示。 7.5.1 工作原理 7.5.1 工作原理 图7-24 内部结构图 控制电压VC给并联调整器/误差放大器和门驱动极提供偏置电压，而控制端电流IC的大小用来调节占空比，当IC从6mA减到2mA时，D就由1.7%增至67%。比例系数即为脉宽调制增益。在C-S极间接47μF的外部旁路电容CT，即可为门驱动极提供电流，并且由它决定自动重启动频率，同时，对控制环路进行补偿。控制电压VC的典型值为5.7V，极限电压VCM=9V，控制端最大允许电流ICM=100mA。VC有两种工作模式，一种是滞后调节，用于启动和过载两种情况，具有延迟控制作用；另一种是并联调节。 启动时，接在漏极和控制极之间的高压开关电流源提供控制电流IC，对CT充电，给控制电路供电。当VC首次达到5.7V时，高压电流源被关断，脉宽调制器和功率MOSFET就开始工作。此后，IC改由反馈电路提供，工作在正常模式下，输出电压稳定，反馈控制电流给VC供电，芯片持续工作，并联稳压器使VC保持在典型值，ZC与外部阻容元件共同决定控制环路的补偿特性。如果反馈电流IC不足，控制极电容CT放电至阈值电压以下时，输出MOSFET 截止，控制电路处于低电流待机模式，高压电流源重新启动为对CT充电，由于自动重启动电路中的比较器具有滞后特性，它通过控制高压电流源的通断使VC保持在4.7-5.7V范围内，自动重启动电路一 7.5.1 工作原理 直工作，直到反馈电流IC足够大，进入控制状态。为了减少功耗，当超过调整状态时，该电路将以5 %的占空比接通和关断电源。 TOPSwitch Ⅱ内部电压取自具有温度补偿的带隙基准电压源，此基准电压源产生可微调的温度补偿电流源，来精确调节振荡器频率和MOSFET栅极驱动电流。 内部振荡电容在所设定的上、下阈值电压VH，VL之间周期性地线性充、放电便产生了脉宽调制所需要的锯齿波（SAW）；与此同时还产生最大占空比信号Dmax和时钟信号CLOCK。为减小电磁干扰，提高电源效率，振荡频率即开关频率设计为100kHz 当加到控制端的反馈电流超过所需电流值时，就通过误差放大器进行分流，确保VC=5.7V。误差放大器的电压基准取自温度补偿带隙基准电压，控制端电流IC可直接取自反馈电路，亦可接光耦反馈电路，由光耦合器输出控制电流并实现电气隔离，能提高控制灵敏度。 通过改变控制端电流IC的大小，能连续调节脉冲占空比，实现脉宽调制（PWM）。D与IC呈线性关系，特性曲线如图7-25所示。在IC=2-6mA范围内，D与IC呈线性关系。 7.5.1 工作原理 7.5.1 工作原理 图7-25 电流与占空比的关系 当控制端电流IC流过电阻RFB时，产生误差电压Vr，经由RA，CA组成的截止频率为7kHz低通滤波器，降低开关噪声的影响，加至PWM比较器的同相输入端，再与锯齿波电压VJ进行比较，产生脉宽调制信号VPWM。 栅极驱动器以一定的受控速率使输出级MOSFET 导通，从而使共模电磁干扰减到最小，栅极驱动电流可微调节以改进精度。 为了提高精确度，栅极驱动电流还可以进行微调逐个周期限流。 过电流比较器的反相输入端接极限电压(又称阈值电压)ULIMIT，同相输入端接功率MOSFET的漏极。利用输出功率MOSFET的漏-源通态电阻RDS（ON）作为电流采样电阻Rs。过流比较器将MOSFET 导通时的漏源电压与阈值电压ULIMIT进行比较。当漏极电流ID过大时，UDS（ON）＞ULIMIT，过电流比较器就翻转，输出高电平，经过Y2、H后，将触发器I复位，进而使功率MOSFET关断，直至下一个时钟周期触发器重新置位，起到过流保护作用。过流比较器的门限电压ULIMIT采取了温度补偿措施，以消除因RDS（ON）随温度变化而引起ID的波动。TOPSwitch-II的极限电流典型值见表7-3。ILIMIT实际为