电力电子技术基础之第1-2章 自关断器件.ppt

电力电子技术 1.4.1 可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图示的双晶体管模型来分析 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： （1）设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于 GTO关断 （2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大 （3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流 导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅 关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。 关断过程：与普通晶闸管有所不同 抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf 残存载流子复合——尾部时间tt 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短 门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间 三. GTO的主要参数 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 1)开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大 2)关断时间toff 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 Ciss= CGS+ CGD （1-14） Crss= CGD （1-15） Coss= CDS+ CGD （1-16） 输入电容可近似用Ciss代替 这些电容都是非线性的 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功 率决定了电力MOSFET的安全工作区 一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题，这是它的一大优点 实际使用中仍应注意留适当的裕量 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?? GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂 ???? MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 ???绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） ?GTR和MOSFET复合，结合二者的优点， 具有好的特性 ?1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件 ?继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT的结构（显示图） 图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT（N-IGBT） ??IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1 ——使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管 ??RN为晶体管基区内的调制电阻 1.4.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT的原理 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定 ?导通：，uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通 ?导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小 ?关断：栅射极间施加反压或不加信号时