电力电子技术课件(中国石油大学版本).pptVIP

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电力电子技术课件(中国石油大学版本)

第1章 电力二极管和晶闸管 电力电子器件是电力电子电路的基础。 掌握:特性和正确使用方法 本章 首先简要概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题 然后分别介绍几种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 §1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的特征 一、概念 1.主电路(main power circuit): 在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的强电电路。 2.电力电子器件(power electronic device): 可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件 三、与处理信息的电子器件相比,一般具有如下的特征: 1.所能处理的电压电流较大。主电路功率达MW级。 2.电力电子器件一般都工作在开关状态。 处理的电功率较大,为了减小本身的损耗,提高效率。 通常电力电子器件的断态漏电流极小,因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 开关过程中的电压、电流乘积较大,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 。 四、电力电子系统组成 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为 单极型器件:由一种载流子参与导电的器件(MOSFET) 双极型器件:由电子和空穴两种载流子参与导电的器件(GTR、SCR、GTO、二极管)、 复合型器件:(IGBT)由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件则被称为复合型器件,也称混合型器件。 1.2 不可控器件——电力二极管 1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 (1) 通态平均电流IF(AV)(额定电流IFR) 二极管的额定电流IF(AV)被定义为其额定发热所允许的正弦半波电流平均值。 若正弦电流的最大值为Im,则额定电流为 其正向导通流过额定电流时的电压降一般为1~2V。 当二极管在规定的环境温度为+40℃和散热条件下工作时,通过正弦半波电流平均值IF(AV)时,其管芯PN结温升不超过允许值。 通过对正弦半波电流的换算可知,正向平均电流IF(AV)对应的有效值为1.57IF(AV)。 例如,如果手册上给出某电力二极管的额定电流IF(AV)为100A,由此得到 允许通过正弦半波电流的幅值 。 允许通过任意波形的有效值为157A。 也就是说,额定电流为100A的二极管可以通过幅值为314A的半波正弦电流,可以在全周期内通过任意波形的有效值为157A的电流,其功耗发热不超过允许值。 该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能力。 电力二极管属于功率最大的半导体器件,现在其最大额定电压、电流在6kV、6kA以上。二极管的参数是正确选用二极管的依据。 1.2.4 电力二极管的主要类型 1.3 半控器件—晶闸管 晶闸管 晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管。 普通晶闸管也称为可控硅SCR( Silicon Controlled Rectifier)。 普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。 目前,晶闸管的容量水平已达8kV/6kA。 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 1. 晶闸管的结构 晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种:螺栓型和平板型。 晶闸管的结构和等效电路如图所示,晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体,形成3个PN结J1、J2和J3。 欲使晶闸管导通需具备两个条件: ① 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。 ② 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。 (2) 晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用,故晶闸管为半控型器件。 (3) 为使晶闸管关断,必须使其阳极电流减小到一定数值以下,这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。 1.3.2晶闸管的基本特性(静态、动态) 2 晶闸管的门极伏安特性 由于实际产品的门极伏安特性分散性很大,常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性,由门极正向峰值电流IFGM﹑允许的瞬时最大功率PGM和正向峰值电压UFGM划定的区域称为门极伏安特性区域。PG为门极允许的最大平均功率。其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA为可靠触发区. 晶闸管的动态(开关)特性 1.3.3晶闸管的主要参数 1.电压定额 晶闸管元件的正反向重复峰值电压等级 2.电流定额 晶闸管流过正弦半波电流波形如图所示 〖例〗 两个不同的电流波形(阴

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