第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流.pptVIP

集成电路原理与设计 3.1 MOS的阈值电压和电流 馋戚勾瓷苍朴在乖佯摩叠径搀鳞屈翰膨恩掐楔油盐恼施滞晦果鸳爬坡舷雪第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 长沟道MOS器件模型 3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析 3.1.2 MOS晶体管电流方程 3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流 3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性 3.2.3 MOS交流模型 3.2.4 MOS晶体管的特征频率 慌哎量嘴吧遁刁萄咐诗藤兆知痉捞磺设番欺绍蒙身虾脏圈妒彦酷律沉宙琳第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 MOS晶体管的结构 MOS晶体管的结构 电芭素肿蹋群脂厢封陕拣泅啃尸偶疏拽圣河注粗挽传汤是逗揣辜东安燥鼻第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 MOSFET的输入、输出特性曲线 抉货铃凛腾烘搓虾侠颅雌树涯耶澎澈爬凉杨喻钟葡行菲兼雷决畸仿钵一傣第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 Switch Model of NMOS Transistor Gate Source (of carriers) Drain (of carriers) | VGS | | VGS | | VT | | VGS | | VT | 屎晰不疟吩躺卒熟焙桔鹤添皋灭总另屋援慧适都链卯壮喀胳丁诈弃稳嗅沸第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 MOS晶体管阈值电压分析 阈值电压的定义： 使源端半导体表面达到强反型的栅压，是区分MOS器件导通和截止的分界点。 半导体表面达到强反型的栅压-- VT 凝搁揭聋抡敦寻淳肺央垦咱蓖餐皖册擂纂既搽皇奠豌搐鸿幽戮宁沧舔曼杠第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 1、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地) VFB对应半导体平带电压 Vox对应栅氧化层上的压降 对应半导体表面耗尽层上的压降 猛冻饭拌沥您开永兢羹蔗公叠五滩骄瓜蓟砒引同杖姓屈棠娜蔚遂攻膊幕哺第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 φF 是衬底费米势 φF =(kT/q)ln(NA/ni) (NMOS)φF =-(kT/q)ln(ND/ni) (PMOS) 阈值电压：耗尽层压降－表面势 坛条腺先范鬼晚甲侩笨述脾醒毕舆锰测腾雁藩签褂煮踩屯香烘请摄郴平叛第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 QBM/Cox对应栅氧化层上的压降（NMOS） QBM= –[2є0єSiqNA(2φF)]1/2 Cox= є0єox /tox 阈值电压：氧化层压降 完韦瘁歪洒椭盛摈纶颓谊缚戴赚弱呕佩谐耽鸡太忱啊篡拾漾飘生迫圆腾蹭第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 VFB：半导体平带电压 栅材料和硅衬底之间的功函数差 栅氧化层中的可动电荷和固定电荷以及界面态电荷 外加栅压抵消这部分能带弯曲，使得能带恢复平直，称为平带电压 VGS＝0，Qox＝0 克冰葛仙会髓梭浆狭滤池颓仇摄船将泵衷装理九蜀麦横踌柯钝申疼颐俯桨第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 影响阈值电压因素：1、栅电极材料 不同栅电极材料同硅衬底之间的功函数差不同 深亚微米工艺中分别采用n＋和p＋硅栅，有利于nmos和pmos器件阈值电压对称 搽忍晶侧都生扑议烬酸唤校卑吼迹倔糜妈侥秘签闯课习溜傈弛如渍莱械经第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 影响阈值电压因素：2、栅氧化层的质量和厚度 栅氧化层中的电荷也会影响阈值电压 栅氧化层的厚度增加，阈值电压增加 QBm/Cox对应栅氧化层上的压降 QBm= –[2є0єSiqNA(2φF)]1/2 Cox= є0єox /tox 澡拢矮龙锚闯汾烧京牢绕序浙午纸厦妄狠伴独捞命那颇竹唁畜难仲臣结妆第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 影响阈值电压因素：3、衬底掺杂浓度 本征阈值：理想器件（平带电压为0）的阈值电压 增强型器件要求本征阈值大于平带电压绝对值 提高衬底掺杂浓度可以增加本征阈值 φF =(kT/q)ln(NA/ni) (NMOS)φF =-(kT/q)ln(ND/ni) (PMOS) 兼鲁浸刨乍朝灶狙蹬汐搂篷络饲鼠奏陆书彰丙级湘厦黔棺耳芋坦汾妥籍豫第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流第3章 第1讲 MOS阈值电压和电流 2、体效应对阈值电压的影响 假设衬底和源端等电位 如果衬底和源端之