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stm32系列arm cortex-m3第三章
第3章 STM32系列微控制器 存储器和外设;第3章 目录;3.1 存储器和总线结构;系统结构;系统结构;系统结构;系统结构;系统结构;3.1.2 存储器结构;存储器系统有两种映射机制：
小端存储器系统：
在小端格式中，高位数字存放在高位字节中。因此存储器系统字节0连接到数据线7～0。
大端存储器系统：
在大端格式中，高位数字存放在低位字节中。因此存储器系统字节0连接到数据线31～24。 ; 可访问的存储器空间
被分成 8 个主要块，每个
块为512 MB。其他所有没
有分配给片上存储器和外
设的存储器空间都是保留
的地址空间(右图中的阴
影部分)
片内Flash的起始地址：
0x0000 0000；
片内SRAM的起始地址：
0x2000 0000.;Cortex-M3存储器空间中包含2个位段（Bit Band）区：
SRAM区的最低 1 MB空间
外设存储区的最低
这两个位段分别与2个32M的位段别名（Bit Band Alias）区对应，位段区中的每一位映射到位段别名中的一个字。通过对别名区中某个字的读/写操作可以实现对位段区中某一位的读/写操作。;高性能的闪存模块有以下的主要特性：
● 128K 字节闪存
● 存储器结构：闪存存储器有主存储块和信息块组成
? 主存储块为 16Kx64 位，每个主存储块又划分为128 个1K 字节的页。
? 信息块为 258x64 位，每个信息块又划分为一个2K 字节的页和一个16 字节的页
闪存存储器接口的特性为：
● 带预取缓冲器的读接口(每字为2x64 位)
● 选择字节加载器
● 闪存编程/擦除操作
● 访问/写保护;3.1.4 启动配置;3.2 电源控制;3.2.1 电源供应;3.2.1 电源供应;3.2.2 电源供应管理;3.2.2 电源供应管理;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.3 低功耗模式;3.2.4 电源控制寄存器
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