GaN基发光材料.pdfVIP

2001 年第 10 期　　　　　　　　　　　　　　　化　学　教　育 ·3 · 　　　　　　Ga N 基发光材料 知识介绍 　　　　　　　　王　立　李述体　江风益　余淑娴 ( ) 　　　　　　　　　　 南昌大学化学与材料科学学院 　江西 　330047 　　摘要 　本文概述了 GaN 基发光材料的基本特性和 GaN 基器件的应用领域及未来的发展前 景。简述了 GaN 基材料的生长技术 ,着重介绍了金属有机化学气相淀积法。 关键词 　GaN 　发光材料 　金属有机化学气相淀积 　　在科学技术的发展进程中 ,材料永远扮演着主 合金 ,其禁带宽度覆盖整个可见光及紫外光谱范围。 角。在与现代信息社会的科技成就息息相关的千万 GaN 及其三元化合物通常是以六方对称性的纤锌 种材料中 ,半导体材料的作用尤其如此。诞生于 20 矿结构存在 ,但在一定条件下也能以立方对称性的 世纪 40 年代末的硅锗第一代半导体材料促成了晶 闪锌矿结构存在。2 种结构的主要差别在于原子层 体管、集成电路和计算机的发明。20 世纪 60 年代 的堆积次序不同 , 因而电学性质也有显著差别。由 ( 于闪锌矿结构的 GaN 不稳定 ,用于器件的一般都是 开发的第二代半导体材料 包括砷化镓、磷化镓和磷 ) 纤锌矿结构。表 1 给出了 2 种结构的 GaN 及 InN 、 化铟等 形成了制作光电子器件的基础 ,并且为高性 能微波和数字系统拓开了新的市场。第三代半导体 AlN 的带隙宽度和晶格常数。 ( ) 材料于 20 世纪 90 年代中期兴起 , 主要包括 SiC , 表 1 　2 种结构 GaN 、InN 、AlN 的带隙宽度和晶格常数 300 K ZnSe 、GaN 、AlN 及金刚石等 ,其中又以 GaN 为杰出 纤锌矿结构 AlN GaN InN 代表。GaN 具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗 带隙宽度/ eV 6 . 2 3 . 39 1. 95 辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性 ,是现在世界 晶格常数c/ nm 0 . 4982 0 . 5185 0 . 5760 上人们最感兴趣的半导体材料之一。GaN 基材料 闪锌矿结构 在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管 ,蓝、紫色激光器以 带隙宽度/ eV 5 . 11 3 . 2 - 3. 3 2 . 2 及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的 晶格常数/ nm 0 . 438 0 . 452 0 . 498 应用潜力和良好的市场前景。 对于 In GaN 、Al GaN 等三元化合物的各项参数可以 早在 1928 年 , Johnson 就用粉末法合成了 用插值法估算 : GaN 。但由于 GaN 高熔点、高离解压的特性使 GaN GaN 是 GaN 基半导体材料中的基本材料 ,也是 的体单晶生长极为困难 ,长期阻碍了 GaN 研究工作 目前研究最多的 Ⅲ族氮化物材料。GaN 材料非常 的发展。甚至一度 GaN 被认为是没有前途的材料。 坚硬 ,其化学性质非常稳定 ,在室温下不溶于水、酸 但是在 20 世纪 90 年代初 , GaN 基材料的研究取得 和碱 ,其熔点较高 ,约为 1700 ℃。GaN 的电学性质 重大