CMOS讲义2制造工艺.pdfVIP

专用集成电路设计 专用集成电路设计 任课教师：潘伟涛 任课教师：潘伟涛 西安电子科技大学 通信工程学院 专用集成电路设计 Contents 集成电路材料 2 基本的半导体制造工艺 工艺及版图设计 CMOS工艺基础 版图设计规则、注意事项、检查 集成电路工艺概述 集成电路工艺的基本任务 • 材料生长与淀积：形成不同材料构成的工艺层 • 光刻：将各种工艺层刻蚀成不同的形状，形成互连 2-1 集成电路材料 制造集成电路所用到的材料很多， 基本有三类： ★ 导体 ★ 半导体 ★ 绝缘体 导体在制造工艺中的功能 导体如铝、金、钨、铜以及镍镉合金等，在集 成电路中主要完成的功能有： 1.构成低阻值电阻，电容的极板，电感的绕线，传输 线，与轻掺杂半导体构成肖特基接触；与重掺杂半 导体构成半导体器件的电极的欧姆接触。 2.构成元器件间和层间的互连线。 3.构成与外界电路连接的焊盘。 绝缘体在制造工艺中的功能 绝缘体如二氧化硅（SiO ）、氮化硅 （SiON、 2 Si N ）等氧化物和氮化物在集成电路制造工艺中要 3 4 完成的功能： 1.构成电容的介质；构成MOS管的栅极与沟道间的绝 缘层 （栅氧）。 2.构成元件之间，互连线之间的横向隔离 （场氧）。 3.构成不同工艺层面之间的纵向隔离，防止表面机械 损伤和化学污染的钝化层。 半导体在制造工艺中的功能 半导体是集成电路制造工艺中的核心材料，集 成电路就是制作在半导体衬底材料上的，半导体材 料的特征决定了集成电路基本元器件的特性。 除了半导体、导体、绝缘体外，在集成电路制 造工艺中还需要陶瓷、玻璃、塑料、金属等作为封 装材料。在制造过程中需要超净环境，高纯水，高 纯气的制备等等。 一 集成电路材料 互连层：单层、多 层，连接有源器 件，导体（Al ，Cu，poly Si） 绝缘层：栅氧化层、场氧化层，形成栅 电容、隔离有源器件及互连线，绝缘体 （SiO2 ） 有源器件层：nFET、pFET，半导体 （Si ）材料 一 集成电路材料 第4层金属 钨塞 第3层金属 第2层金属 第1层金属 一 集成电路材料 一层金属