铜化学机械抛光工艺中碟形缺陷的优化 improve the dishing in cu cmp process.pdfVIP

下载本文档

549
0
约7.94千字
约 3页
2017-08-18 发布于上海
举报
版权申诉

铜化学机械抛光工艺中碟形缺陷的优化 improve the dishing in cu cmp process.pdf

1、本文档共3页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

铜化学机械抛光工艺中碟形缺陷的优化 improve the dishing in cu cmp process

第8卷．第4期电子与封装总第60期 V01．S，No，4 至疆。E(：豫oNlCSP渡CKAGⅨG 2008年4月 77—h．厂h＼∥～＼一，h、厂“、／^＼厂、、．，—、＼一一、、 (刖《、刚幔jf酬燕)鸣?(凰；(剽(、影铜化学机械抛光工艺中碟形缺陷的优化俞栋梁1，一，程秀兰1 (1。上海交通大学微电子学院，上海200030；2．中芯国际集成电路制造(上海) 有限公霹裁程整合工程处，上海201203) 摘耍：铜化学机械抛光是近些年发展最快的一种工艺，铜碟形是铜化学机械抛光工艺中的主要问题之一。严重翡礤彤缺陷会造成产品良零酶缺失，使得孝ll灌节降。碟形是电于在抛竞过程中铜线与介震层不问的抛光速率所导致。文章详细地介绍了铜化学机械抛光的基本步骤和不同作用，然后指出了在抛光过程中碟形产盘的基本原理，最后对抛光过程中最重要的抛光液及其成份对碟形的影响进行了分析。通过试验各秘裁分赡翔量组成苓羁配方的抛光波，最终给虫了减少碟形鳃具露改透方案。关键词：铜化学机械抛光；碟形；抛光速率；抛光液中圈分类号：TN305．96文献标识码：A the inCu Process ImproveDishingCMP YU Xiu-lanl Dong-San91：,CI-IENG (1．Institute Jiao University，Shanghai ofMicroelectronics，ShanghaiTong International PIE 201203，China) Manufacture Corporation(ShanghaOdivision，Shanghai isthe insemiconductor inCu Abstract：CuCMPfastest-growingprocess manufacmring。Themajorproblem CMPis willcausethe loss．Thedifferentratefordifferent dishing procductyield polish polish dishing，serious materialcause introducesthedifferentofCuCMPandtheirfunctionincludethe dishing．Thispaper steps fundamentalof the ofCMPaffect USe of dishing，detailanaylzecomponentsslurry dishing，thenexperiment different thefinal slurryprovide improve plan． words：Cu rate；slurry Key CMP；dishing；polish (Erosion)和抛光片内均匀性超差等形式出现位】。其 1 前言中铜碟形是指抛光时由于铜