退火温度对掺氮zn0薄膜结构和光电特性的影响 influence of the annealing temperature on the structural and optical properties of n-doped zno films.pdfVIP

Vbl．29 第29卷第7期 半导体学报 No．7 2008年7月 JOURNAL0FSEMICONDUCTORS July，2008 退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响* 钟 声 徐小秋 孙利杰 林碧霞 傅竹西’ (中国科学技术大学物理系，合肥230026) (施主)，这两种结构分别于不同的退火温度下存在，并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度，这一点也由霍 并由此计算出热氧化法制备的ZnO：N薄膜中的N。受主能级位置． 关键词：热氧化；ZnOXPS,受主能级 PACC：8115G；3365F；7840 中围分类号：TN304．2+5文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)07-1330-04 真空室内背底真空抽至6X 1 引言 射之后在～。03衬底上生长Zn。N。薄膜．生长时衬底 近年来，宽禁带半导体材料ZnO受到人们的广泛到的薄膜厚度约为300nm． 关注．因其具有室温下3．37eV的禁带宽度和60meV SCI· 本文中X射线衍射谱(XRD)由日本MAC 的激子结合能，因而在紫外发光器件方面具有巨大的应 用前景[1]．但如同很多其他的宽禁带半导体材料一样， ZnO通常呈现n型电导．目前，高质量的、稳定的P型MKII电子能谱仪获得，通过霍尔效应测量得到了样品 掺杂对于ZnO仍然较为困难，这极大地制约了ZnO基的载流子浓度，低温下发光光谱采用波长为325nm的 短波长器件的发展．为此，国内外研究人员尝试了多种 He—Cd激光器激发． 制备工艺和掺杂手段，在众多的掺杂元素中，N以其具 有和O相似的原子半径以及理论计算较浅的受主能 3结果与讨论 级，成为最有可能获得高质量P型ZnO的元素．然而， 在生长过程中，进行原位掺杂往往难以得到很高的N 图1给出了制备的Zn。N。以及退火后薄膜的 受主浓度，Zn。Nz热氧化法则有效地克服了这一缺点， 并且可以通过控制后期退火条件改变N在ZnO中的 浓度．虽然国内外已有研究人员做了这方面的工作[2．3]，射峰，说明直接溅射生长的是多晶Zn。Nz薄膜．经 但是，并没有涉及这种方法制备的ZnO：N薄膜中的N600℃退火后，样品中与Zn。N。相关的衍射峰全部消 的化学状态、形成机制以及它们对薄膜的光电特性的影 响，本文将在这些方面进行较为深入的研究． 2 实验 和(004)衍射峰，说明此时薄膜呈现明显的C轴择优取 向和良好的晶体质量．图2给出了ZnO：N薄膜的 本实验采用直流磁控溅射设备在Al：o。(0001)基 (002)衍射峰半高宽和晶格常数c随温度的变化曲线， 片上制备了ZnO：N薄膜．在生长之前，基片经过四氯 化碳、甲苯、丙酮和无水乙醇等有机溶液清洗，以去除基 片上的有机杂质，然后经过浓硫酸和过氧化氢混合溶液 的结晶质量逐渐提高．根据(002)峰位计算出的晶格常 处理，以去除金属氧化物等无机杂质，最后经去离子水 数c均大于单晶中的数值，这是因为晶格中部分。格 冲洗并经氮气吹干，放置于真空室内．实验采用纯Zn 位被N原子所占据，导致晶格中存在着应力，使得晶格 (99．99％)金属靶，～和N：混合气体共同溅射．生长前常数相应地变大HJ． *国家自然科学基金资助项目(批准号 t通信作者．Email：fuzx@use．edu．cn 2007—12—01收到，2008．01．09定稿