无飘移电迁移理论(扩散产生复合俘获理论) the driftless electromigration theory(diffusion-generation-recombination-trapping theory).pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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无飘移电迁移理论(扩散产生复合俘获理论) the driftless electromigration theory(diffusion-generation-recombination-trapping theory).pdf

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无飘移电迁移理论(扩散产生复合俘获理论) the driftless electromigration theory(diffusion-generation-recombination-trapping theory)

第29卷第5期半导体学报 V01．29No．5 2008年5月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS May，2008 TheDriftless ElectromigrationTheory’ Theory) Sah JieBinbin3’’ Chih．Tan91’2，3，+and (1Chinese ofSciences，ForeignMember，Beijing100864，China) Academy 32605，USA) (2 ofFlorida，Gainesville，Florida University (3 100871，China) PekingUniversity，Beijing current-densitieswhichcreates isthe ofatomsinmetalconductorsat electronic transport high Abstraet：Electromigration in voidsin conductorsandincreasestheconductors’electricalresistance．Itwasdelineated1961 the byHuntington；then the electricalresistanceformuladerivedBlackin1969tofitthe ofthe modeledby empirical by dependencesexperimental reviewed dataonthe current and in2007 electricalresistanceandfailure electricaldensitytemperature．Tan 40一years’ap- in the formulatoconductorlines transistorsandotherdevicessiliconintc- of Black plicationsempirical