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第二章 太阳能光电材料及物理基础 2.5 非平衡少数载流子 2.6 p-n结 2.7 金属-半导体接触和MIS结构 2.8 太阳能光电转换原理-光生伏特效应 § 2.5 非平衡少数载流子 非平衡载流子的产生、复合和寿命 非平衡载流子的扩散 非平衡载流子的运动 § 2.6 p-n结 p-n结的制备 p-n结的能带结构 p-n结的电流电压特性 § 2.6 p-n结 合金法：在一种半导体单晶上放置金属或半导体元素，通过升温等工艺形成p-n结。 § 2.6 p-n结 扩散法：在n型（或p型）半导体材料中，利用扩散工艺掺入相反类型的杂质，在一部分区域形成与体材料费相反类型的p型（或n型）半导体，从而形成p-n结。 § 2.6 p-n结 离子注入法：在n型（或p型）掺杂剂的离子束在静电场中加速，使之具有高动能，注入p型（或n型）半导体，表面区域，在表面形成与体内相反的n型（或p型）半导体，最终形成p-n结。 § 2.6 p-n结 薄膜生长法：在n型（或p型）半导体表面，通过气相、液相等外延技术，生长一层具有相反导电类型的p型（或n型）半导体薄膜，在两者的界面处形成p-n结。 § 2.6 p-n结 突变结 线性缓变结 § 2.6 p-n结 由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散, Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散, 在ｐ型和Ｎ型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内建电场。 § 2.6 p-n结 § 2