芯片背面磨削减薄技术研究 studies on wafer backside grinding.pdfVIP

* ，D片背面磨削减薄技术研究 王仲康，杨生荣 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘要：通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果；并结合实例研究了现代磨削 减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术，探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。 关键词：背面减薄；自旋转磨削；亚表面损伤层；总厚度误差；延性域；崩边 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A onWaferBackside Studies Grinding WANG Shengrong Zhongkang，YANG research 45th institute ofeast (The ofCETC，YanJiaoBeUmg101601，china) thinner Abstract：Nowthethicknessofwaferis thethinnerand replacedby ones，the beingconstantly thewafer better mustbe isthe of thinner is，the quality increased．Superprecisiongrindingthinning semiconductorwafers materialfromtherearface．Inthis introduce by article，we the舒nd— removing the processempiricalstudy，givesprocess ing by parameter． transition Keywords：Backsidegrinding；Waferrotatinggrinding；SSD；TTV：Ductile-brittlevalue；Spin IC技术进步日新月异，正在向高速化、高集成 1 硅片背面减薄技术 化、高密度化和高性能化的方向发展。特征尺寸的 缩小，集成度的提高，意味着单位面积上的晶体管 1．1减薄后芯片的优点 数量倍增，从而增强电路的功能性。然而密集的晶 芯片背面减薄工艺应用在晶片表面电路制作 体管工作时，形成了集中的热源，如何疏散热量，有 完成后，对芯片背面硅材料进行磨削减薄(backside 效冷却工作器件成为了一个关键问题。从而具有非 grinding)，使其达到所需的厚度；减薄后的芯片有如 逻辑功能的混合芯片的异质集成应运而生，其主要 下优点： 特征是从单核向多核结构转变。推动封装技术朝密 (1)降低热阻，提高热扩散效率。随着半导体结 度更高的三维封装方向发展，如芯片叠层封装 构越来越复杂、集成度越来越高，晶体管体积不断 die 减小，散热已逐渐成为影响芯片性能