薄膜工程与应用期中报告薄膜制作之溅镀介绍.PDFVIP

薄膜工程與應用 期中報告 薄膜製作之濺鍍 介紹 班級碩研光電一甲: 學生:楊育瑞 MA3L0101 授課老師:吳文端 老師 薄膜的形成 薄膜的生長過程直接影響到薄膜的結構以及最終的性能。圖一表示薄膜沉積中 原子的運動狀態及薄膜的生長過程。射向基材及薄膜表面的原子、分子與表面相 碰撞，其中一部分被反射，另一部分在表面上停留。停留於表面的原子、分子， 在自身所帶能量及基材溫度所對應的能量作用下，發生表面擴散(surface diffusion)及表面遷移 (surface migration) ，一部分再蒸發，脫離表面，一部 分落入位能谷底，被表面吸附，即發生凝結過程。凝結伴隨晶核形成與生長過程， 島形成、合併與生長過程，最後形成連續的膜層。 圖一、薄膜形成過程 薄膜結構 在薄膜的沉積過程中，入射的氣相原子首先被基材或薄膜表面所吸附。若這 些原子具有足夠的能量，它們將在基材或薄膜表面進行擴散運動，除了可能脫附 的原子之外，大多數的被吸附原子將到達生長中的薄膜表面的某些低能位置。在 薄膜沉積的過程中，如果基材的溫度條件許可，則原子還可能經歷一定的體擴散 過程。因此，原子的沉積過程包含了三個過程，即氣相原子的沉積或吸附，表面 擴散以及體擴散過程。由於這些過程均受到過程的啟動能的控制，因此薄膜結構 的形成將與沉積時的基材相對溫度 Ts/Tm 以及沉積原子自身的能量密切相關，這 裡 Ts 為基材溫度，而 Tm 為沉積物值的熔點 。 圖二、基材相對溫度 Ts/Tm和濺鍍氣壓對薄膜組織的影響 對薄膜組織的形成具有重要影響的因素除了基材溫度之外，濺鍍氣壓也會直接 影響入射在基材表面的粒子能量，即氣壓越高，入射到基材上的粒子受到的碰撞 越頻繁，粒子能量也越低，因而濺鍍氣壓對薄膜結構也有很大的影響。 基材相對溫度Ts/Tm和濺鍍時 Ar氣壓力對於薄膜組織的綜合影響如圖 二所 示，在溫度很低、氣壓較高的條件下，入射粒子的能量較低，原子的表面擴散力 有限，形成薄膜組織為晶帶 1型的組織。晶帶 T型組織是介於晶帶 1和晶帶 2 之間的過渡組織，沉積過程中臨界核心尺寸雖然很小，但原子已經開始具有一定 的表面擴散能力。 Ts/Tm=0.3~0.5時形成的晶帶 2是表面擴散過程式控制的生長 組織。這時原子的體擴散上不充分，但表面擴散能力已經很高，已可進行相當距 離的擴散，因而沉積陰影效應的影響下降。基材的溫度(Ts/Tm0.5)繼續升高將 使得原子的體擴散開始發揮重要的作用，因此晶粒開始迅速成長，甚至超越薄膜 厚度，組織是經過充分再結晶的粗大等軸晶式的晶粒磊晶組織，晶粒內缺陷密度 很低，即表現為晶帶 3型的薄膜組織。 在溫度較低時，晶帶 1 與晶帶T型生長過程中原子的擴散能力不足，這兩類 生長被稱為抑制型生長。與此對應，晶帶2型和晶帶 3型的生長被稱為熱啟動型 生長。 濺鍍原理介紹 圖 三、濺鍍示意圖 如圖三所示，為濺鍍 法示意圖，真空腔體中以靶材為陰極，通入惰性氣體 氬( 氣 ) ，氣體內少量的自由電子受到外加電場作用，電子在電場中會被加速獲得能 量，在低壓分子間平均自由徑比常壓長，故電子會有較長的加速距離而獲得高的 能量，高能量的電子經由碰撞運動將動能轉移至惰性氣體上，使得氣體分子被離 子化形成電漿，因電場的作用下，氣體中的正離子受到陰極靶材端所吸引，加速 撞擊靶材表面。基於動量轉換原理，離子轟擊產生了二次電子另外還會將靶原子 給擊出，而沉積於工件上，此動作稱為濺鍍。 磁控濺鍍 法 如圖四所示， 為磁控濺鍍法示意圖，磁控濺鍍其 基本原理乃根據離子濺射原 理，當高能粒子（通常是由電場加速的正離子）衝擊到固體表面，固體表面的原 子和分子在與這些高能粒子交換動能後，就從固體表面飛出來，此現象稱之為「濺 射」。 先利用電場使兩極間產生電子，這些加速電子會與鍍膜室中己預先充入的惰 性氣體碰撞，使其帶正電，這些帶正電的粒子會受陰極（靶材）吸引而撞擊陰極， 入射離子（通常用氬氣）受到電場作用獲得動量，撞擊靶材表面的原子，這些原 子受到正電離子的碰撞得到入射離子的動量轉移，被撞擊的靶材表面原子因接受 入射離子的動量，對靶材表面下原子造成壓擠使其發生移