电子技术基础课件 第三章 半导体二极管及其基本应用电路.ppt

解：(1)当V?1=0V, V?2=5V时,D1为正向偏置， V0=0V,此时 D2的阴极电位为5V，阳极为0V， 处于反向偏置，故D2截止。 (2)以此类推，将V?1和V?2 的其余三种组合及 输出电压列于下表： V?1 V?2 D1 D2 V0 0V 0V 导通 导通 0V 0V 5V 导通 截止 0V 5V 0V 截止 导通 0V 5V 5V 截止 截止 5V Vi~ + + - - Vi~ Vi Vo Vi Vo Vo + + Vo Vi + 稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 　　　稳压管又称齐纳二极管，它是一种用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度也大，容易形成强电场。其特性如图2.2.7 (b)的所示，其正向特性曲线与普通二极管相似，而反向击穿特性曲线则很陡。图中的VZ表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。 稳压管的稳压原理在于：电流有很大增量时,只引起很小的电压变化。反向击穿曲线愈陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好。 图2.2.7 稳压二极管符号及其伏安特性 稳压管的参数主要有以下几项： 1. 稳定电压UZ 指稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。 2. 稳定电流IZ(IZmin～IZmax) 指稳压管正常工作时的参考电流。若工作电流小于IZmin，则不能稳压；若工作电流大于IZmax ，则会因功耗过大而烧坏。 3. 动态电阻rZ 指稳压管两端电压和电流的变化量之比。 rZ =?U /?I rZ愈小,反映稳压管的击穿特性愈陡,稳压性能越好。 4. 电压的温度系数aU 指稳压的电流保持不变时，环境温度每变化１℃所引起的稳定电压变化的百分比。 一般： UZ 7V， aU为正值； UZ 4V， aU为负值； 4V UZ 7V， aU值较小，稳压性能稳定。 5. 额定功率ＰZ 指稳压管工作电压UZ与最大工作电流IZmax的乘积　　　　　ＰZ= UZ ×IZmax 额定功率决定于稳压管允许的温升。 必须限制稳压管电流,以免烧坏管子 负载与稳压管并联 稳压管电路分析： 1. 限流电阻的计算 (1) 当输入电压最小，负载电流最大时，流过稳压二极管的电流最小。此时IZ不应小于IZmin，由此可计算出限流电阻的最大值。即 (2) 当输入电压最大，负载电流最小时，流过稳压二极管的电流最大。此时IZ不应超过IZmax，由此可计算出限流电阻的最小值。即 所以：Ｒmin＜R＜Rmax 2. 负载电阻的计算 当输入电压一定时， 保证IZ不小于IZmin，需 RLRLmin 保证IZ不大于IZmax，需 RLRLmax 例5：如图所示稳压电路，已知稳压管的?zmax=20mA, ?zmin= 5mA,rz =10?, Vz =6V, 负载电阻的最大 值RLmAX=10K?。 （1）确定R； （2）确定最小允许的RL值; （3）若RL=1k?,当V?增加1V 时，求?V0值。 解: 运用稳压管反向击穿特性，若负载电阻 增大，则V0增大，通过调整 ?z大小使V0稳定在 一定的范围内。等效电路如图所示。 (1)当RL=RLmax时，?z=?zmax 根据电路基本定理，有 将 R=Rmin= 232? 和 ?zmin= 5mA代入， 可解得 ?0max =12mA。 所以最小允许的RL的值为： (2) 当RL最小时， 发光二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 肖特基二极管 一般发光二极管工作电流：5~20mA 例：设 V1=5V，问若要发光二极管正常工作，R4应该选取多大阻值？ 1）半导体材料的特性： 半导体中有两种载流子：电子和空穴。 载流子有两种运动方式：扩散运动和漂移运动 本征激发使半导体中产生电子-空穴对，但它们的数目很少，并与温度有密切关系。 在纯半导体中掺入不同的有用杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体。它们是各种半导体器件的基本材料。 ?PN结是各种半导体器件的基本结构形式，PN结的重要特性是单向导电性。 二极管的伏安特性是非线性的，所以它是非线性器件。 二极管的简化的模型：理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。在实际应用中，应根据工作条件选择适当的模型。? 对二极管伏安特性曲线中不同区段的利用，可以构成各种不同的应用电路。组成各种应用电路时，关键是外电路（包括外电源、电阻等元件）必须为器件的应用提供必要的工作条件和安全保证。 为合理选择和正确使用各种半导体器件，必须熟悉它们