半绝缘GaAs的双调制反射光谱研究-二维材料光学性质研究组-中国.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 14 (2017) 147801 半绝缘GaAs 的双调制反射光谱研究 刘雪璐 吴江滨 罗向东 谭平恒 1) (中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083) 2)(中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 101408) 3)(南通大学, 江苏省专用集成电路设计重点实验室, 南通 226019) ( 2017 年4 月12 日收到; 2017 年4 月28 日收到修改稿) 半导体材料电子能带结构的确定对研究其物理性质及其在半导体器件方面的应用有重要意义. 光调制 反射光谱是一种无损和高灵敏度的表征半导体材料电子能带结构的光学手段. 光调制反射光谱中激光调制 导致的材料介电函数的变化在联合态密度奇点附近表现得更为明显. 通过测量这些变化, 可以得到有关材料 能带结构临界点的信息. 然而在传统的单调制反射光谱中, 激光调制信号的光谱线型拟合和临界点数目的分 析往往被瑞利散射和荧光信号所干扰. 本文将双调制技术与双通道锁相放大器结合, 消除了瑞利信号和荧光 信号的干扰, 获得了具有较高信噪比的调制反射光谱信号. 双通道锁相放大器可以同时解调出反射光谱信号 及其经泵浦激光调制后的细微变化量, 避免了多次采集时可能存在的系统误差. 利用这种技术, 在可见激光 (2.33 eV) 泵浦下, 我们测量了半绝缘GaAs 体材料从近红外至紫外波段(1.1—6.0 eV) 的双调制反射光谱, 获 得了多个能带结构临界点的信息. 探测到了高于泵浦能量之上的与GaAs 能带结构高阶临界点对应的特征光 谱信号, 说明带隙以上高阶临界点的光调制反射光谱本质是光生载流子对内建电场的调制, 并不是来自该临 界点附近的能带填充效应. 这一结果表明双调制反射光谱能够对半导体材料能带结构带隙及其带隙以上临界 点进行更准确的表征. 关键词: 双调制反射光谱, 半绝缘GaAs, 能带结构, 带隙以上临界点 PACS: 78.40.–q, 78.20.–e DOI: 10.7498/aps.66.147801 调制反射光谱通过施加一定频率调制的微扰来周 1 引 言 期性地改变材料的介电函数. 这种微扰可以是外加 电场、磁场、温度、应力、波长、频率以及偏振调制 电子能带结构是研究固体材料的物理性质及 等13 . 相比于传统的反射光谱, 调制反射光谱关 其器件应用的基础. 材料电子能带结构一旦被确 注的是反射光谱信号的改变量. 调制反射光谱可以 定, 包括其能级位置、功函数、态密度、载流子分布 有效地从平坦的反射光谱信号中提取出与能带结 在内的众多物理性质都能够被直接或间接获得. 反 射光谱是研究半导体材料光学参数的重要表征工 构临界点有关的细微变化, 获得具有尖锐谱线结构 具之一. 反射光谱的峰和肩可以反映布里渊区能量 的调制反射光谱信号. 这些尖锐的谱线结构对应于 简并的所有临界点附近跃迁贡献的总和, 但是对于 联合态密度的奇点, 从而得到相关能带结构临界点 反射峰附近以及远离主要反射峰位置的精细结构, 的信息. 往往被缓慢变化的反射光谱背景所掩盖, 导致人们 光调制反射光谱是