单壁碳纳米管的轴向能带工程-北京大学纳米研究中心.PDFVIP

中国科学 B 辑 :化学 2009 年 第 39 卷 第 10 期 : 1069 ~ 1088 SCIENCE IN CHINA PRESS 单壁碳纳米管的轴向能带工程 现晓军, 刘忠范* 北京大学纳米化学研究中心, 北京大学化学与分子工程学院, 北京 100871 * 通讯作者, E-mail: zfliu@ 收稿日期：2009-07-11; 接受日期：2009-08-02 摘要 单壁碳纳米管具有优异的电子学特性, 是制备新一代高性能集成电路的重 关键词 要材料. 碳纳米管芯片之路存在诸多挑战, 包括直径和手性的控制生长方法、金属性 碳纳米管 和半导体性单壁碳纳米管的分离方法、器件加工与集成方法等. 这些课题从本质上 CVD CMOS 器件 讲大多属于化学问题, 因此碳纳米管芯片研究为化学家们提供了新的机遇与挑战. 轴向能带工程 过去 10 年来, 我们围绕单壁碳纳米管的轴向能带工程这一研究思路, 开展了一系列 纳米转移印刷技术 碳纳米管芯片的基础探索工作, 发展了若干有效的单壁碳纳米管局域能带的调控方 法, 包括温度阶跃生长法、脉冲供料生长法、基底调控法以及形变调控法等. 本文系 统地阐述了这些局域能带调控方法, 为使读者对该领域的研究进展有一个较为全面 的了解, 文中对其他课题组开展的代表性工作也给予了综述性介绍. 1 引言 流大, 延迟时间短, 因此可以预期, 碳纳米管芯片的 速度将大大高于硅芯片. 硅基CMOS器件在特征尺寸 碳纳米管是日本NEC 公司的电子显微学家Iijima S(饭岛澄男)博士发现的. 1991 年, Iijima S在用高分辨 进入纳米领域时, 会出现所谓的短沟效应. 单壁碳纳 透射电镜观察富勒烯原始样品时, 偶然发现了多层 米管的直径通常在 1~2 nm范围, 载流子被限域在非 套管状的多壁碳纳米管[1]. 两年后, Iijima S和IBM公 常狭小的空间范围内运动, 因此可以有效地抑制这 司的Bethune D S在“Nature ”杂志的同一期上同时 种短沟效应, 使得理想的静电学控制成为可能, 这是 报道了由单层管构成的单壁碳纳米管[2,3], 从而掀起 碳纳米管FET 的另一个优点. 碳纳米管中的碳原子呈 了世界范围的持续至今的碳纳米管研究热潮. 稍微变形的sp2 成键构型, 径向方向不存在未饱和的 理论上讲, 单壁碳纳米管是理想的导电沟道材 悬挂键, 因此不需要表面化学钝化, 这一点与呈sp3 料, 用单壁碳纳米管制作的场效应晶体管(FET)有着 成键结构的硅材料完全不同. 这意味着碳纳米管器 硅晶体管无与伦比的优越性, 因此它的问世为新一 件不必一定使用二氧化硅作为栅极绝缘材料, 可以 代高性能集成电路研究注入了新的活力[4] . 首先, 单 采用其它高介电常数材料, 在材料选择上的自由度 壁碳纳米管中载流子的传输是一维的, 这就意味着 大得多. CMOS技术是传统的硅基微电子器件的基础, 载流子散射的相空间减小, 反向散射受到强烈抑制, 其基本结构单元是互补的n 型和p 型场效应晶体管. 从而导致极高的载流子