第4章 晶体管频率特性与开关特性.ppt

第4章 晶体管频率特性与开关特性 第1节 晶体管频率特性理论分析 第2节 晶体管高频参数与等效电路 可得发射极和集电极交流电流： 2、晶体管的Y参数及其等效电路 T 小信号工作的晶体管可看成 二端网络； 输入信号（V1，I1）与输出 信号（V2，I2）为线性关系； 端特性与晶体管外特性等效，不论网络内部结构和电路； 4个参数任选2个为自变量，另2个为因变量； 不同选法有不同的晶体管参数方程和等效电路。 二端网络等效法 输出短路的输入导纳： 输入短路的正向转移导纳： 输出短路的反向转移导纳： 输入短路的输出导纳： T V2 V1 I2 I1 ＋ ＋ － － Y参数方程（导纳方程） 共基极晶体管Y参数 与下式对照比较，级数展开近似化简整理可得Y参数； E C B N+ P N Ve(t) Vc(t) VBEd VBCd ic ie ib （1）共基极输入导纳 E B CDe 1/ge Y11b 发射结电导： 发射结扩散电容： 共基极输入导纳是发射结电导与发射结扩散电容的并联。 （2）共基极输出导纳 C B CDc 1/gc Y22b 集电结电导： 基区宽度随集电结偏压的变化率 集电结扩散电容： 共基极输出导纳是集电结电导与集电结扩散电容的并联。 （3）共基极正向转移导纳 由定义： αz：交流共基反向（I1 / I2）电流放大系数， I1 与 I2 反向。 （4）共基极反向转移导纳 由定义： α：交流共基正向（ I2 / I1）电流放大系数， I1 与 I2 反向。 共基极晶体管Y参数方程： 共基极晶体管Y参数等效电路： Y12bVc Y21bVe res rcs CTe CTc CDe CDc 1/gc 1/ge rb C E B 本征 3、晶体管的 h 参数及其等效电路 T V2 V1 I2 I1 ＋ ＋ － － h 参数方程（混合参数） 输出短路的输入电阻： 输入开路的电压反馈系数： 输出短路的电流放大系数： 输入开路的输出导纳： 同一晶体管在一定工作条件下，各参数之间应有一定的关系，由共基极Y参数方程和 h 参数方程： 可推出共基极 h 参数和Y参数的关系： 共基极 h 参数方程及其等效电路 共基极晶体管h参数： 共基极晶体管h参数方程： -αIe res rcs CTe CTc CDe 1/ge rb C E B 共基极晶体管 h参数等效电路 共射极 h 参数方程及其等效电路 共射极 h 参数和共基极 Y参数的关系： 均匀基区晶体管： 缓变基区晶体管： 共射极晶体管 h 参数： 共射极晶体管 h 参数方程： βIb res rcs CTc Ct βore rb C E B ～ reCt/CTc CTcVc/Ct 共射极晶体管 h参数等效电路 4、高频功率增益和最高振荡频率 高频功率增益 Kp 共轭匹配：①信号源内阻与晶体管输入阻抗匹配； ②负载电导与晶体管输出导纳共轭匹配，即 负载电导等于晶体管输出阻抗的共轭复数。 在共轭匹配条件下，可推得晶体管最大功率增益的 h参数普遍表达式： 由共射极晶体管 h参数等效电路得： 而： 最大功率增益： βIb Le rcs CTc Ct βore rb C E B ～ reCt/CTc CTcVc/Ct 最高振荡频率 fm f = fm 时，Kpm=1，则有： 在较低的频率下测出 f 时的 Kpm 就可计算出 fm； 高频优质同时反映了晶体管的增益和频率特性，主要取决于晶体管的内部参数，考虑到电极、管壳等寄生电容时，CTc由总电容CC代替。 高频优质（功率增益-带宽积） (常数) 第3节 晶体管的开关过程 晶体管不仅是优良的放大器件，而且是优良的开关器件；开关通过晶体管的导通和截止实现。 开关晶体管静态特性 输入脉冲为零时，发射结、集电结均反偏，晶体管截止，相当于断开的开关。 输入脉冲电压： IC 跟随IB 增加且使IC RL 增加，VCE下降， IC增加到 时IC由外电路决定；不再随IB 增加而增加，晶体管进入饱和状态，此时集电结零偏， VCE =VBE， VCB =0。 当 时，过驱动电流 使基区超量存储电荷， IC 保持不变，晶体管深饱和，集电结正偏， VCES VBES ，晶体管CE间近似短路，相当于闭合的开关。 定义饱和深度： IB 越大，S越大， 晶体管饱和越深 tr ton ts tf toff t t t t2 t0 ib ic 0.9ICS 0.1ICS Vb td 晶体管的开关过程 晶体管的开关参数： 饱和压降VCES：晶体管开态与理想开关的差距 穿透电流