电容式传感器传感器原理及应用().ppt

3.筒形容栅传感器（柱状圆容栅） 筒形容栅传感器由两个套在一起的同轴圆筒组成，电极镀在圆筒上，可实现长度的测量。柱状圆容栅的结构原理图如图所示。 随着微机械加工技术(MEMS)的迅猛发展，各种基于MEMS技术的传感器也应运而生，由于国防和尖端技术需要，微加速度传感器近年来发展迅速。在各种微加速度传感器中，微电容式加速度传感器具有结构简单、灵敏度高、动态特性好、抗过载能力强，体积小、重量轻、易于与测试、控制电路集成、有利于大规模批量生产等优点，其研究和应用受到越来越广泛的关注。 硅微加工加速度传感器 图示加速度传感器以微细加工技术为基础，既能测量交变加速度（振动），也可测量惯性力或重力加速度。其工作电压为2.7～5.25V，加速度测量范围为数个g，可输出与加速度成正比的电压也可输出占空比正比于加速度的PWM 脉冲。 微加工三轴加速度传感器 技术指标： 灵敏度：500mV/g ， 量程：10g， 频率范围：0.5-2000Hz，安装谐振点:8kHz ， 分辨力：0.00004g ， 重量：200g ， 安装螺纹：M5 mm ， 线性误差：≤1% 硅微加工加速度传感器原理 1—加速度测试单元； 2—信号处理电路； 3—衬底 ； 4—底层多晶硅（下电极）； 5—多晶硅悬臂梁； 6—顶层多晶硅（上电极） 利用微电子加工技术，可以将一块多晶硅加工成多层结 构。在硅衬底上，制造出三个多晶硅电极，组成差动电容C1、C2。图中的底层多晶硅和顶层多晶硅固定不动。中间层多晶硅是一个可以上下微动的振动片。其左端固定在衬底上，所以相当于悬臂梁。 当它感受到上下振动时，C1、C2呈差动变化。与加速度测试单元封装在同一壳体中的信号处理电路将ΔC 转换成直流输出电压。它的激励源也做在同一壳体内，所以集成度很高。由于硅的弹性滞后很小，且悬臂梁的质量很轻，所以频率响应可达1kHz以上，允许加速度范围可达10g 以上。 如果在壳体内的三个相互垂直方向安装三个加速度传感器，就可以测量三维方向的振动或加速度。 加速度传感器在汽车中的应用 加速度传感器安装在轿车上，可以作为碰撞传感器。当测得的负加速度值超过设定值时， 微处理器据此判断发生了碰撞，于是就启动轿车前部的折叠式安全气囊迅速充气而膨胀，托住驾驶员及前排乘员的胸部和头部。 装有传感器的假人 气囊 外屏蔽层接大地或接仪器地，用来防止外界电场的干扰。内外屏蔽层之间的电容是1:1放大器的负载。1:1放大器是一个输入阻抗要求很高、具有容性负载、放大倍数为1(准确度要求达1/10000)的同相(要求相移为零)放大器。因此“驱动电缆”技术对1:1放大器要求很高，电路复杂，但能保证电容式传感器的电容值小于1pF时，也能正常工作。 1：1 ＋ － 测量 电路 前置级 外屏蔽层 内屏蔽层 芯线 传感器 “驱动电缆”技术原理图 当电容式传感器的初始电容值很大(几百μF)时，只要选择适当的接地点仍可采用一般的同轴屏蔽电缆，电缆可以长达10m，仪器仍能正常工作。 （5）整体屏蔽法　　 将电容式传感器和所采用的转换电路、传输电缆等用同一个屏蔽壳屏蔽起来，正确选取接地点可减小寄生电容的影响和防止外界的干扰。下图是差动电容式传感器交流电桥所采用的整体屏蔽系统，屏蔽层接地点选择在两固定辅助阻抗臂 Z3和Z4中间，使电缆芯线与其屏蔽 层之间的寄生电容CP1和CP2分别与Z3和Z4相并联。如果Z3和Z4比CP1和CP2的容抗小得多，则寄生电容CP1和CP2对电桥平衡状态的影响就很小。 ～ 交流电容电桥的屏蔽系统 C1 C2 CP1 CP2 Z3 Z4 -A 最易满足上述要求的是变压器电桥，这时Z3和Z4是具有中心抽头并相互紧密耦合的两个电感线圈，流过Z3和Z4的电流大小基本相等但方向相反。因Z3和Z4在结构上完全对称，所以线圈中的合成磁通近于零，Z3和Z4仅为其绕组的铜电阻及漏感抗，它们都很小。结果寄生电容Cpl和Cp2对Z3和Z4的分路作用即可被削弱到很低的程度而不致影响交流电桥的平衡。 还可以再加一层屏蔽，所加外屏蔽层接地点则选在差动式电容传感器两电容C1和C2之间。这样进一步降低了外界电磁场的干扰，而内外屏蔽层之间的寄生电容等效作用在测量电路前置级，不影响电桥的平衡，因此在电缆线长达10m以上时仍能测出 1pF的电容。 电容式传感器的原始电容值较大（几百pF）时，只要选择适当的接地点仍可采用一般的同轴屏蔽电缆。电缆长达10m时，传感器也能正常工作。 4．防止和减小外界干扰 当外界干扰(如电磁场)