半导体物理与器件+第2章pn结机理与特性.ppt

第二章 PN结机理与特性 2.1 平衡PN结的机理与特性2.1.1 PN结的制备与杂质分布 在N型(或P型)半导体单晶片衬底上，分别采用不同的掺杂方法，使原来半导体的一部分变成P型，（或N型），那么在P型半导体与N型半导体的交界面处就形成了PN结，如图 合金法及其杂质分布 合金法制备PN结的基本过程如图所示 扩散法及其杂质分布 用扩散法制备PN结的基本过程如图 离子注入法及杂质分布 2.1.2 平衡PN结形成与能带 1 平衡PN结形成 平衡PN结表现出来的3个主要特征： 1. 通过平衡PN结的静电流为零； 2.在空间电荷区，两侧正负空间电荷数量相等； 3.空间电荷区以外的N型区和P型区仍是电中性的。 2 平衡PN结的能带图 2.1.3 平衡PN结的接触电势差 由于平衡PN结空间电荷区内存在自建电场，使得N区和P区之间存在电势差，把这个电势差称为PN结的接触电势差，用UD表示。 2.1.4 平衡PN结的载流子浓度分布 平衡PN结的载流子浓度分布如图。在空间电荷区靠P边界XP处，电子浓度等于P区的平衡少子浓度nP0，而空穴浓度等于P区的平衡多子浓度PP0；在空间电荷区靠N边界XN处，空穴浓度等于N区的平衡少子浓度PN0，而电子浓度等于N区的平衡多子浓度nN0；在空间电荷区之内，空穴浓度从XP处的pP0减小到XN处的pN0，电子浓度从XN处的nN0减小到XP处的nP0。 2.2 正向PN结机理与特性2.2.1 正向偏置与正向注入效应 2.2.2 正向PN结边界少子浓度和少子浓度分布 边界少子浓度是指在空间电荷区靠N区边界XN处的空穴浓度p（XN）和靠近P区边界XP处的电子浓度n（XP）。 2.2.3 正向PN结电流-电压方程式 PN结正向电流的讨论 1. PN结两边杂质浓度与正向电流的关系 2. 扩散长度与正向电流的关系 3. 半导体禁带宽度对正向电流的影响 禁带宽度愈小，n2i 愈大 4. 正向电流的温度效应 5. PN结的导通电压和正向压降 2.2.5 PN结的大注入效应 可以证明，特大注入时，通过PN+结的电流密度方程式为 2.2.6 正向PN结空间电荷区复合电流 2.3 反向PN结的机理与特性2.3.1 反向偏置与反向抽取作用 PN结的反置是指P区接电流源负极，N区接电源正极。 PN结的反向抽取作用是指反向结空间电荷区具有的抽取(或收集)少子的重要作用。 2.3.2 反向PN结边界少子浓度和少子浓度分布 反向PN结边界少子浓度 所谓边界少子浓度是指在空间电荷区N区边界XN处的空穴浓度p（XN）和靠近P区边界Xp处的电子浓度n（ Xp ）。 反向PN结少子浓度分布 2.3.3 反向PN结电流-电压方程式 1. 反向PN结载流子传输与电流转换 2. 反向PN结电流 2.3.4 反向PN结空间电荷区的产生电流 当考虑了空间电荷区的产生电流后，PN结的反向电流表达式为 2.3.5 PN结表面漏电流 考虑了表面漏电流之后，实际PN结的反向电流应包括体内扩展电流JRD，空间电荷区产生电流Jg和反向表面漏电流JRS，应等于三项之和 JR=JRD+ Jg+ JRS 表面漏电流主要由以下集中情况引起的: 1. 表面空间电荷区与表面反型沟道 2. 表面沾污引起表面漏导电流 3.其他因素引起表面漏电 4.反向电流随温度的变化 2.3.6 PN结的伏安特性 将正向和反向PN结电流-电压公式结合起来便形成PN结的伏安特性 2.4 PN结空间电荷区的电场、点位分布和宽度 2.4.1 空间结空间电荷区的电场、点位分布和宽度 突变结空间电荷区的电场分布 电场强度最大值EM为： 突变结空间电荷的电位分布 2.4.2 线性缓变空间电荷区的电场、点位和宽度 线性缓变结的电场分布E（x）、最大电场强度Em、点位分布U（x）和空间电荷区宽度Xm分别为 2.5 PN结击穿机理与击穿特性2.5.1 PN结击穿机理 热电击穿 PN结加偏压增加，温度上升，反向电流增大，两者循环下去，最终导致反向电流无限增大而发生击穿。 隧道击穿 隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应使大量电子从价带穿过禁带，而进入到导带所引起的一种击穿现象。又称齐纳击穿。 雪崩击穿 2.5.2 PN结雪崩击穿电压 雪崩击穿条件 2.5.3 影响雪崩击穿电压的主要因素 杂质浓度对击穿电压的影响。 外延层厚度对击穿电压的影响。 PN结形状对雪崩击穿电压的影响。 2.5.4 几种不正常的击穿曲线 软击穿 低击穿 管道型击穿 靠背椅击穿 2.6 PN结的电容特性2.6.1 PN结的势垒电容 PN结为什么会具有电容效应 突变结势垒电容 表达式为 线性缓变结势垒电容 单边突变结和线性缓变结的势垒电容分别为： 2.6.2 PN结的扩散电容 由电荷在扩散区存储所形成的电容称