氧化钪掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能 microstructure and electrical properties of sc2o3-doped zno varistor ceramics.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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氧化钪掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能 microstructure and electrical properties of sc2o3-doped zno varistor ceramics

2010年第3期(总第235期) 电瓷避雷器 N03．2010(SCr．№．2351 and Arresters 2010年6月 Insulators Jun．2010 Surge 文章编号：1003—8337(2010)03--0023--04 氧化钪掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能徐东。史小锋。程晓农 (江苏大学材料科学与工程学院，江苏镇江212013) 摘要：采用固相法制备Sc：o，掺杂ZnO压敏瓷，通过扫描电镜对其显微组织进行了分析， oC烧结 000 探讨了Sc，o，对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc：o，掺杂氧化锌压敏瓷1 的性能较好：当Sc20，掺杂量掺杂浓度(摩尔分数)为0．3％时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好，其压敏电位梯度为821 V／m／n。非线性系数为62，漏电流为O．16斗A。关键词：压敏电阻：氧化锌；稀土；电性能；显微组织中图分类号：TB34：TN304．93文献标识码：A MicrostructureandElectrical of ZnO PropertiesSc203-doped Ceramics Varistor XU Xiao-nong Dong，SHIXiao-feng，CHENG Scienceand ofMaterial University，Zhenjiang212013，China) (School Engineering，Jiangsu were a solidreac· varistorceramics ZnO—Bi203-based preparedbyusing Abstract：Sc203一doped theelectrical tion was electron and properties route，microstructureanalyzedbyscanning microscope mechanismofthevaristorceramicswerestudied．The andmicrostructureinfluence sinteringperfor- sinteredat1 000oCWas concen- mance zincoxidevaristorceramics