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光电传感器综合实验 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直 接引起光强度变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测 能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形 状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动 控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应，即光敏材料的电学特性都因受到光的照射而发生变 化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类。外光电效应是指在光照射下，电子 逸出物体表面的外发射的现象，也称光电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光 电倍增管等。内光电效应是指入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应。大 多数光电控制应用的传感器，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等都是内光 电效应类传感器。当然近年来新的光敏器件不断涌现，如：具有高速响应和放大功能的APD 雪崩式光电二极管，半导体光敏传感器、光电闸流晶体管、光导摄像管、CCD 图像传感器 等，为光电传感器的应用开创了新的一页。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二 极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性以及光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原 理。 【实验目的】 1、了解光敏电阻的光电特性、光谱响应特性、频率特性等基本特性，测出它的伏安特性曲 线和光照特性曲线。 2 、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。 4 、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。 【实验原理】 1、光敏电阻 光敏电阻是利用半导体光电导效应制成的一种特 殊电阻，对光线十分敏感，它的电阻值能随着外界光 照强弱（明暗）变化而变化．它在无光照射时，呈高 阻状态；当有光照射时，其电阻值迅速减小。光敏电 阻通常由光敏层、玻璃基片（或树脂防潮膜）和电极 等组成的，如图1所示。 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为 内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电 图1 光敏电阻结构图 效应的光电元件。当内光电效应发生时，固体材料吸 收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数 增加，使材料的电导率增加，电导率的改变量为  p e  n e  （1） p n 在（1）式中，e 为电荷电量，p 为空穴浓度的改变量，n 为电子浓度的改变量， 表示迁 移率。 当两端加上电压 U 后，光电流为： 1 A I U （2） ph d 式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下， 为恒定的值， 因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值 随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。 当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图2 光敏电阻的伏安特性曲线 图3 光敏电阻的光照特性曲线 当光电器件电极上的电压一定时，光电流与入射到光电器件上的光照强度之间的关系称 为光照特性。光敏电阻的光照特性则如图3所示。不同的光敏电阻的光照特性是