氧流量对tio_2薄膜光电性质的影响 influence of oxygen flux on photoelectric properties of tio_2 thin film prepared by dc magnetron sputtering.pdfVIP
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氧流量对tio_2薄膜光电性质的影响 influence of oxygen flux on photoelectric properties of tio_2 thin film prepared by dc magnetron sputtering
《半导体光电》2010年2月第31卷第1期 杨兵初等: 氧流量对TiO。薄膜光电性质的影响
氧流量对Ti02薄膜光电性质的影响
杨兵初,夏学文,曾礼丽,文 武
I中南大学物理科学与技术学院.长沙410083)
摘 要: 采用直流反应磁控溅射法在FTO基底上制备了Ti0:薄膜,研究了在不同氧流量条
件下Ti02薄膜的拉曼光谱、表面形貌和透射光谱,并将Ti0:薄膜用N719染料进行敏化,制备了染
料敏化太阳电池,测试了电池的FV特性曲线。实验结果表明:随着氧流量的增加,电池的短路电
流和光电转换效率先增加而后降低,在15cm3时达到最大;薄膜为锐钛矿和金红石的混合晶体结
构;氧流量对薄膜的表面形貌影响不大,薄膜都表现出疏松多孔的表面结构。
关键词: 氧流量;TiOz薄膜;直流反应磁控溅射;染料敏化;太阳电池
Influenceof FluxonPhotoelectricof
Oxygen Properties
ThinFilm DC
Ti02 Preparedby MagnetronSputtering
YANG Wu
Bingchu,XIAXuewen,ZENGLili,WEN
(Schoolof Scienceand South
Physics Technology,Central 410083.CHN)
University,Changsha
thinfilmswere onFTOsubstratesIX:reactive
Abstract:Ti02 deposited by magnetron
atdifferent fluxes.ThefilmswerecharacterizedRaman
sputtering oxygen by spectroscopy,
surface andtransmission curvewastestedfor solar
the
morphology spectra.}y dye-sensitized
with
cellswhichwere with filmssensitizedN719.Theresultsshowthat the
preparedTi02 by
increaseof flux,theshort—circuit andthesolar conversion
oxygen photocurrent energy efficiency
at thendecrease.Andwhenthe fluxis15 and
first,but cm3,bothJsc
(7/)increase oxygen 17
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