RF MEMS开关吸合电压的分析.pdfVIP

第29卷 第 1期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．1 2008年 1月 JoURNAL oF SEMICoNDUCToRS Jan．，2008 RF MEMS开关吸合电压的分析* 董乔华 廖小平t 黄庆安 黄见秋 (东南大学MEMS教育部重点实验室，南京 210096) 摘要：吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数，针对RF MEMS开关，详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压． 对于执行电压是脉冲方式而言，开关梁受迫振动，不同于准静态方式，此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压，计 算表明比准静态吸合电压小8％．通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式，详细分析了基于CPW 的双端固支梁开关 的准静态和动态吸合电压．分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响，阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小．最后分析了 射频输入功率对开关吸合电压的影响，射频输入功率会降低吸合电压，如果输入功率足够大，吸合电压将会降为零，此时 MEMS开关会发生自执行失效． 关键词：RF MEMS 开关；吸合电压；准静态；动态；阻尼 EEACC：1350 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2008)01-0163-05 功率的情况下的吸合电压．文献[8，9]虽然已经分析了 1 引言 开关的动态过程的吸合电压，但文献[8]给出的计算方 式是二维方式，相对较繁锁；文献[9]针对的是平行板结 构，存在较大误差．本文采用能量法对双端固支结构的 RF MEMS开关由于其自身的诸多优点，在微波集 成电路中具有广阔的应用前景_1 ]．MEMS开关的执行 开关进行分析，给出了相对简单的开关动态过程吸合电 压的计算方法．对于射频输入功率的影响，根据文献[2， 器种类很多_1q]，静电力执行器由于设计和制作简单而 10，11]和模拟软件进行了简化分析．针对双端固支的开 被广泛研究和使用．吸合(pul1．in)电压是静电力执行器 关结构考虑了非线性和边缘场对吸合电压的影响．同时 的重要技术指标，因而关于吸合电压的分析和计算成为 分析了运动过程中阻尼对吸合电压的影响．利用模拟软 研究的焦点，计算吸合电压的方法大多是采用准静态的 方法_1 。 ]，即认为开关在吸合前的运动过程都是受力 件Ansys和Coventor进行了验证，结果验证了计算方 法的合理性和正确性． 平衡的． MEMS开关的开关速度与开关的执行电压密切相 关，为了提高开关速度，越来越多的开关采用方波电压 2 理论模型 执行开关_2 ]．采用方波执行的开关，其运动过程不再是 准静态过程，因而对其吸合电压的计算需要采用新的方 计算吸合电压的方法很多：有采用简单的一维平板 法【8 ]，开关在吸合前的运动过程中不满足受力平衡，需 假设进行计算 ]；考虑了梁的弯曲之后，有采用竖直平 要采用牛顿运动定律 或者能量守恒的方法_g]进行吸 面的二维方法进行计算_8 ；还有完全采用三维的有限元 合电压的计算．计算表明吸合电压降低约1O％，吸合位 方法进行计算．采用一维方法最简单，精度也相对较低， 移增加约5O％．随着MEMS开关研究的深入，功率处理 三维的方法最精确，也最复杂．为了在易用性和精度上 能力的问题逐步