低电压环形振荡器设计Designoflowvoltageringoscillator.PDFVIP

第 2 卷第 6 期 通 信 学 报 Vol.2 No.6 2007 年 6 月 Journal on Communications June 2007 第 6 期 江金光等：低 电压环形振荡器设计 ·1 · 低 电压环形振荡器设计 江金光，李天望 （武汉大学 卫星导航定位技术 究中心，湖北 武汉 430079 ） 摘 要：提 出了一种新的两级环形振荡器结构，通过控制 PMOS 的衬底 电压，来降低 PMOS 管的阈 电压，从而 使新的环形振荡器可 以在低 电压下工作到很高的频率 。仿真结果表 明，在 电源 电压为 1V ，调节 电压在 0～ 1V 范围 内变化时，振荡器的频率为 300MHz～4GHz 。 关键词：低 电压；环形振荡器 ；调节范围 中图分类号：TN782 文献标识码 ：A 文章编号: 1000-436X(2007)06-0062-04 Design of low voltage ring oscillator JIANG Jin-guang, LI Tian-wang (GNSS Research Center, Wuhan University, Wuhan 430079, China) Abstract: A new rin oscillator was proposed. To reduce the threshold volta e of PMOS transistor, a two sta e rin oscillator was desi ned by forward biasin the bulk of the PMOS transistor. Simulation results show that the new rin oscillator can work at the very hi h frequency with a low supply volta e, and the output frequency of the proposed rin oscillator can ran e from 300MHz to 4GHz in 1V supply volta e. Key words: low volta e; rin oscillator; tunin ran e 1 要 四级延迟单元，这就使振荡器的工作频率受到很 1 引言 大的限制 。为了提高振荡器的工作频率，人们采用