多晶硅太阳电池转换效率和晶体缺陷相关性张映斌.pdf

34 5 Vol． 34 ，No． 5 第 卷第 期 红外与毫米波学报 2015 2015 10 October ， 年 月 J． Infrared Millim． Waves :1001 － 9014 (2015)05 － 0551 － 07 DOI : 章 号 10． 11972 /j． issn． 1001 － 9014． 2015． 05． 007 文 编 多晶硅太阳电池转换效率和晶体缺陷相关性 1 ，2 2 2 2 1* 1 张映斌 ， 熊 震 ， 陈奕峰 ， 冯志强 ， 杨平雄 ， 褚君浩 (1． ， 200241 ; 华东师范大学信息科学与技术学院极化材料与器件教育部重点实验室 上海 2． ， 213031) 常州天合光能有限公司光伏科学与技术国家重点实验室 江苏常州 : ． 摘要 多晶硅太阳能电池组件以它显著的综合成本优势被广泛应用 铸锭多晶硅的晶体缺陷特征与其电池转换效 ． ， (14． 5 ～ 15． 5% ); 率有着强烈的关联性 晶体的底部和顶部缺陷密度高 对应的电池转换效率低 晶体中部因为较低 ， (16． 5 ～ 17． 5% )． ， 的缺陷密度 对应着较高的电池转换效率 不同种类的晶体缺陷对电池效率的影响又不尽相同 比 ， ． 如位错等顽固性缺陷会保留至终 而间隙态金属杂质等可去除的缺陷则会在电池制备过程中得以消除 : ; ; ; 关 键 词 多晶硅 缺陷 少子寿命 电池转换效率 中图分类号:O77 文献标识码:A Correlation between polycrystalline based solar cell conversion efficiency and crystallization defects