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新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
第 卷第 期 功能材料与器件学报
3 N/90 32 ./0
年 月
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文章编号! ##$ % ’(’ ) ’##* + # % ## * % #
新工艺生长的DC47. 量子点的结构与电学性质研究
曲宝壮，朱勤生，陈 振，陆大成，韩培德，刘祥林，
王晓晖，孙学浩，李昱峰，陆 沅，黎大兵，王占国
（ ）
中国科学院半导体所材料开放实验室，北京 ###-*
（ ）
摘要：利用金属有机化学气相沉积 KLMNO 技术2 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生
长出多层 量子点。这种方法是对 表面进行钝化并在低温下生长 从而增加表面吸
DC47.P 47. 47. 2
附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点
样品的 ! # 特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应，其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的
共振隧穿。
关键词：量子点, KLMNO, 共振隧穿, DC47.P 47.
中图分类号： 文献标识码
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