半导体物理第十章2.docVIP

§10.3 半导体的光电导 在第5章中已提到，光吸收在半导体中产生额外载流子；额外载流子的引入必然给半导体产生附加的电导率。这种由光照引起半导体宏观电导率升高的现象称为光电导。 一、光生载流子和附加电导率 设光注入的额外载流子密度分别为△n和△p。当电子刚被激发到导带中时，可能比原来就在导带中的热平衡电子有较高的能量；但光生电子通过与晶格碰撞，在极短的时间内就以发射声子的形式舍去多余的能量，而与热平衡状态的电子能量相同。因此，可以认为在整个光电导过程中，光生电子与热平衡电子具有相同的迁移率。因而在光照下光吸收材料的电导率变为 式中n= n0+△n，p= p0+△p。附加电导率(或简称光电导)△σ可写为 光电导的相对值 对本征光电导，△n＝△p，引入b＝μn/μp，于是 设I表示按光子数计算的光强度(即单位时间通过单位面积的光子数)，α为的吸收系数，Iα即等于单位体积光子，β表示每吸收一个光子所能产生的电子－空穴对数，即量子产额，电子—空穴对的产生率 (10-6) 由于光子还会因其他原因被吸收，如形成激子等，因而β一般＜1。 由于复合过程的客观存在，△n和△p不可能随着光照时间的延长而上升。经过一段时间，当电子和空穴的复合率等于产生率，即R=G时，光生载流子度即达到稳定值△ns，如图10-1中实线所示。这时，附加电导率△σ也达到稳定值△σs。这就是稳态光电导。 设光生电子和空穴的寿命分别为τn和τp，根据式(10-)知稳态光生子密度为 从而稳态光电导率为 可见，稳态光电导率与μ、τ、β和α四个参数有关。其中β和α表征光和物质的相互作用，决定光生载流子的激发过程；μ和τ则表征载流子与物质之间的相互作用，决定载流子运动和额外载流子的复合过程。 τ是定值，复合率R等于△n/τ。在光照过程中．△n的上升率应为 分离变量并积分，利用起始条件t＝0时△n＝0，得方程的解为 可见，小注入情况下，光生载流子密度(光电导率)按指数规律上升，当tτ时达到稳态，(nS=(I((。光照停止后，G＝0，决定光生载流子密度下降的方程变为 设t＝0时停止光照。这时光生载流子密度从稳态值△ns开始下降。求解上式，得 于是，小注入情况下的光电导驰豫过程即可相应地分别对上升和下降表示为： ； 以上两式是具有相同时间常数τ的指数函数，τ通常被称为弛豫时间。 (2)大注入情况 在光注入很强以至△n n0和p0，载流子寿命τ不再是定值，这时复合率变为r(△n)2。在描述△n上升和下降的微分方程中，须把小注入条件下的复合率△n/τ改为r(△n)2，即 下降时 利用初始条件t＝0，△n＝0（上升时）和t＝0，△n＝△ns＝（下降时），同样可解出强注入情况下，描述△n弛豫过程的曲线方程。即 上升时 下降时 可见，在强注入情况下，光电导弛豫过程比较复杂。因为直接辐射复合的大注入寿命((不再是定值，而是光照强度和时间的函数光电导灵敏度定义为单位光照度所的光电导△σs。在一定光照下，△σs(△ns)越大，表示其灵敏度也越高，从△ns=βαIτ可以看出，τ越，即弛豫时间越长，△ns就越大，灵敏度也就越高。但是，光电导的弛豫时间也代表着光敏电阻对光信号反应的快慢。τ越长，光电导，即对光信号反应慢；τ越短．反应快。反应快慢对光敏电阻也是一个很重要的参量，特别对于高频光信号，弛豫时间必须足够才能跟得上光信号的变化。因此，在实际应用中，必须根据实际要求来选用适当的材料。 用同一种材料制成的光敏电阻，结构不同，可以产生不同的光电导效果通常用“光电导增益”来评价器件结构的光电导灵敏度。 对如图10-17所示的，在外加电压的作用下，光生载流子设为电子在两电极间的定向运动形成电路中的光电流。当一个电子在电场作用下到达正电极，负电极必同时释放—个电子，以保持电中性。光生电子从一个电极漂移到另一个电极所需的时间渡越时间τt与其寿命τn光生子复合相继通过两个电极。因此，电极间距短的光敏电阻比电极间距长的光敏电阻灵敏度高。通常用光电导增益因子g来反映，定义为寿命与渡越时间之比 若外加电压为，电子迁移率μn，电极间距离为，则渡越时间 显然，对寿命长、迁移率高的材料，在两电极很靠近的情况下，其光电导增益g可以很大。 四、复合和陷阱效应对光电导的影响 前面对额外载流子复合过程的讨论大都只限于小注入，并且假设复合中心的陷阱作用可以忽略，因而两种额外载流子密度相等。但是实际情况往往并非如此。因为注入水平是以热平衡状态下的多数载流子密度n0或p0作为比较标准，而高阻材料n0或p0很小，使用注入。此外，在这样的材料中，陷阱