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/******************************************* * 标题：DS18B20测温 * 日期：2008年1月13日 * 说明：使用DS18B20芯片测温 ******************************************/ # define DQ RA3 //定义18B20数据端口 # define DQ_DIR TRISC3 //定义18B20D口方向寄存器 uchar Temp; float f_temp; void delay_18b20(uint i) { while(i--); } void init_DS18B20() //系统初始化函数 { uchar x=0; ADCON1=0X07; //设置A口为普通数字口 TRISA=0X00; //设置A口方向为输出 TRISC3=0; DQ = 1; //DQ复位 delay_18b20(8); //稍做延时 DQ = 0; //单片机将DQ拉低 delay_18b20(80); //精确延时 大于 480us--900us DQ = 1; //拉高总线 delay_18b20(14); //拉高36us x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败 delay_18b20(20); //设置C口方向为输出 } reset_DS18B20(void) //复位DS18B20函数 { char presence=1; while(presence) { DQ=0 ; //主机拉至低电平 delay(2,90); //延时503us DQ=1; //释放总线等电阻拉高总线,并保持15~60us delay(2,8); //延时70us if(DQ==1) presence=1; //没有接收到应答信号，继续复位 else presence=0; //接收到应答信号 delay(2,70); //延时430us } } void Wait_DS18B20() //等待程序，等待 ds18b20 应答 { uchar i; while(DQ); while(!DQ); i=6; while(i0)i--; } void write_byte(uchar dat) //写18b20写字节函数 { uchar i,j; bit temp1; for(j=8;j0;j--) { temp1=dat0x01; //最低位移出 dat=dat1 //从高拉至低电平,产生写时间隙 if(temp1) { DQ=0; i++;i++;i++;i++; DQ=1; i=13; while(i0) i--; DQ=1; //如果写1,拉高电平 i++,i++,i++,i++; //延时63us } else { DQ=0; i=13; while(i0) i--; DQ=1; i++;i++;i++;i++; } } } bit read_temp_bit() //读取18b20一位数据函数 { uchar i; bit dat; DQ=0;i++; DQ=1;i++;i++; dat=DQ; i=8; while(i0) i--; return (dat); } uch read_temp_byte(void) //读取18b20读一字节函数 { uchar i,j,value=0; for(i=8;i0;i--) { j=read_temp_bit(); value=(j7)|(dat1); } return(value); } void temp_Convert(void) //开始转换 { Reset_DS18B20(); Wait_DS18B20(); //等待应答脉冲