单多晶硅片检验标准(新版).docxVIP

文 件 修 订 记 录文件版本日 期修订页次描 述目 录1.目的：32.范围：33.内容：3单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量杂质种类基本总金属杂质含量（Fe、Cr、Ni、Cu）， ppba表面总金属杂质含量（Fr、Zn、Na） ppda氧（atoms/cm3）碳（atoms/cm3）杂质含量（单晶 N-type）≤50≤70≤9×10（17）≤5×10（16）杂质含量（单晶 P-type）≤50≤70≤9×10（17）≤5×10（16）杂质含量（多晶 P-type）≤50≤70≤9×10（17）≤5×10（16）4.2 硅片检验方法：Item 检验项目Level 检验水平AOL %Conductive type 导电类型Ⅱ1Resistivity 电阻率1Thickness tolerance 厚度1TTV 厚度变化量1BOW 弯曲度1Appearance外观Indents 凹坑1Chips 崩边1Saw Mark 切痕1Craters 应力1Cracks 裂纹1Else 其他14.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型PN型测试仪器电阻率（Ω·cm）1-3四探针测试仪器对硅片表面取五点测试（中心点及四周边缘10mm各取一点），以中心点为判定依据。 径向电阻率不均匀度RRV＜25%四探针测试仪器对边宽（mm）125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线（mm）150±0.5/165±0.5200±0.5/205±0.5数显游标卡尺圆弧长度（mm）27.77-32.20/10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16同心度模具方片角度90°±3°角尺厚度（um）200±20数显千分表或硅片检片机硅片的平均厚度为200微米；硅片表面所有厚度要在规定范围内，最薄处不低于180微米；同批硅片的厚度要呈正态分布，即测试数据的均值±3应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TTV≤30数显千分表在保证硅片表面厚度情况，对硅片表面取五点测试（中心点及四周边缘6mm各取一点），来换算厚度变化量位错密度（个/㎝2）≤3000供方保证项少子寿命≥1.2us少子寿命测试仪裸测光致衰减LID≤3%预投流程验证硅片中心低响应（黑芯片）比例＜0.05%预投流程验证硅片内里的不合格现象，用P L或EL扫描出的图片为同心圆现象弯曲度（um）≤40塞尺线痕允许线痕深度≤15um手持式粗糙度测试仪以线痕最深处测量数据判别密集线痕密集线痕深度≤10um手持式粗糙度测试仪以线痕最深处测量数据判别凹坑无凹坑目视硅片表面平整，无硅落现象针孔无针孔目视无论硅片穿不穿透，都判为针孔沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污、硅粉、清洗剂、水痕崩边长≤0.5mm，宽≤0.3mm，深度小于硅片厚度的三分之一，每片个数≤2个游标卡尺、目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看，出现两个及两个以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹，不论长度和面积大小都不合格氧化膜未磨无氧化膜未磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视断裂处不超过硅片面积1/3裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视断裂处超出硅片面积1/3圆心偏移偏离度≤0.5mm同心度模具亮线无亮线目视从外观看，无明显切片造成的单条亮线或密集亮线外形片≤0.5mm同心度模具四个角与标准规格尺寸相比较的差（任一角测量的最大值为准）梯形片≤0.5mm同心度模具一面尺寸满足要求，另一边偏大或偏小菱形片≤0.5mm同心度模具四条边长度相等，对角线长度不等（任意一边测量，最大值计算）4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型PN型测试仪器电阻率（Ω·cm）1-3四探针测试仪器对硅片表面取五点测试（中心点及四周边缘10mm各取一点），以中心点为判定依据。径向电阻率不均匀度RRV＜25%四探针测试仪器对边宽（mm）125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线（mm）175.5±0.5219.2±0.5数显游标卡尺倒角（mm）0.5-2同心度模具方片角度90°±3°角尺厚度（um）200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米；2.硅片表面所有厚度要在规定范围内，最薄处不低于180微米；3.同批硅片的厚度要呈正态分布，即测量数据的均值±3应在厚度规定的范围内。厚度不均匀度TTV≤3