甲基橙掺杂聚吡咯纳米管的合成及其性能.PDFVIP

第 33卷第 7期 武 汉 工 程 大 学 学 报 Vo1．33 No．7 2011年 O7月 J． Wuhan Inst． Tech． Ju1． 2011 文章编号 ：1674—2869(2011)07—0017—05 甲基橙掺杂聚吡咯纳米管的合成及其性能 朱寒冰，黄 瑜，李 亮 (武汉工程大学材料科 学与工程学院，湖北 武汉 430074) 摘 要 ：通过化学氧化法 ，以Fe(NO。)。为氧化剂 ，甲基橙(MO)为掺杂剂合成 了聚吡咯纳米空心管．通过 FT_ IR、SEM、TEM和 电导率测试等研究了氧化剂和掺杂剂等对聚吡咯形貌结构和 电导率的影响；并将聚吡咯纳 米管涂覆在工作电极表面制作而成 的修饰 电极经循环伏安法测试表 明具有 良好 的氧化还原可逆性． 关键词 ：导 电聚合物 ；聚吡咯纳米管；氧化剂 ；掺杂剂；修饰 电极 中图分类号 ：0633 文献标识码 ：A doi：10．3969／j．issn．1674—2869．2011．07．005 直至滤液呈无色 ，50。C下真空干燥，即得 PPy—M0 0 引 言 纳米管． 上世纪 7O年代 ，日本筑波大学 的白川英树 、 通过滴加 Nafion溶液 (质量分数为 5 )将聚吡 美国宾夕法尼亚大学的 MacdiarmidAlanG和美 咯纳米管涂覆在铂盘工作 电极表面，在室温下 自然 国加州大学圣塔巴巴拉分校 的HeegerAlanJ共 风干．分别配制浓度为 0．2mol／L浓度的Na2SO 、 同发现具有简单结构的共轭聚合物一聚乙炔经 I2 KC1和 KC104溶液，作为电解质溶液备用． 掺杂后电导率可上升十几个数量级 ，即其 电性质 聚吡咯纳米管的傅立 叶变换红外光谱 (FT-IR) 从绝缘体 (电导率为 10 S／cm)跃变为金属导体 测试在 NicoletImpact一420型外光谱仪 (Thermo (电导率为 10。S／cm)l1]．这一发现彻底 打破 了高 FisherScientificCo．)上进行；扫描电子显微镜 (SEM) 分子材料都是绝缘体 的传统观念 ，具有重要科学 测试采用 JSM 一5510LV型扫描 电子显微镜 (JEOI 意义_2]．从此 ，关于导电聚合物的研究很快 引起 了 Co．)；透射电子显微镜 (TEM)测试在 JEM一200CX 人们的广泛 关注，并迅速发 展成为一 门新兴 的多 型透射电子显微镜 (JEOICo．)上进行；经研磨后的聚 学科 交叉 的研 究领域_3。 ．其 中聚吡咯 (PPy， 吡咯纳米管在 30MPa压力下压片后 (厚度大于 polypyrrole)是最受关注的一种典型导 电聚合物 ， 1mm)，使用 RTS一4型四探针电阻率测试仪(广州四 因其具有易合成 、电导率高、稳定性好 、环境无毒 探针科技有限公司)测试其室温电导率． 性和可逆 的氧化还原特性等优点[1，在微电子 、光 以铂丝电极作为对电极 ，饱和甘汞 电极作为 学、电化学和生物技术等领域都有着广泛 的应用 ， 参比电极 ，与聚吡咯膜修饰 的工作 电极组成三电 受到众多科研工作者的青睐． 极体系，分别与 Na。SO 、KC1和 KC10 溶液构成 电解池．采用 CHI一630C型电化学工作站 (上海辰 1 实验部分 华仪器有 限公司)进行循环伏安法测试．主要测试 吡咯 (Py，pyrrole)单体在使用前进行减压蒸馏 参数设置如下 ：电位扫描范围为 O～lV；扫描方向