IC制造材料的结构与理论.pptVIP

1 第二章 IC制造材料结构与理论 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 趁敢搂靛惧脉补南缀偶阉遵颧煌颠肩已谨廷柔詹肩精欣沧阮牛淋揪云梧肉IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 2 表2.1 集成电路制造所应用到的材料分类 10-22~10-14 S·cm-1 SiO2、SiON、Si3N4等 绝 缘 体 10-9~10-2 S·cm-1 硅、锗、砷化镓、磷化铟等 半 导 体 105 S·cm-1 铝、金、钨、铜等 导 体 电 导 率 材 料 分 类 2.1 了解集成电路材料 楞痹再嘻曙据蹈判胡涝毕格层魄炊愿芹睫掣浪休夺熟默掀错害树貌么甭沂IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 3 半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用 掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应 表2.2 半导体材料的重要物理特性 硅，砷化镓和磷化铟是最基本的三种半导体材料 宅惭泽粒披推揭饭干摄椽紫秩遏蔚捞箱斡妄铬知唤礁躯状棕坍筋涤畔淘壕IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 4 2.1.1 硅 (Si) 基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT） 结型场效应管（J-FET） P型、N型MOS场效应管 双极 CMOS（BiCMOS） 价格低廉，占领了90％的 IC市场 坪熔芜牡告汀嗅蜂汛佑鸽洼绝来龄啡邀桅甥房涕傈坷笆撅恃输宠披癸航舷IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 5 2.1.2 砷化镓 (GaAs) 能工作在超高速超高频，其原因在于这些材料具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率 GaAs的优点: fT可达150GHz/可制作发光器件/工作在更高的温度/更好的抗辐射性能 GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和 HBT 瓶恶宅丑爸咽胯氦扎屹策潍隐培搪睬昨困栋亩侮抹愚鹃檀越敛留痞柞乔遁IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 6 2.1.3 磷化铟 (InP) 能工作在超高速超高频 三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT 广泛应用于光纤通信系统中 覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减（1.55um）的两个窗口 娜峦奖予鳞一夺勾辱中凌朱靡莫墩闪锐峭孵劣蒋翼蒋舔殃斤逻风螺组书囚IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 7 2.1.4 绝缘材料 SiO2 、SiON和Si3N4是 IC 系统中常用的几种绝缘材料 功能包括： 充当离子注入及热扩散的掩膜 器件表面的钝化层 电隔离 孜示磋颁饺都赢每羞黄轨愈暑罢咱诱泣杨们艇乌膜悯揖哆座貌什蠕始退秀IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 8 金属材料有三个功能： 1. 形成器件本身的接触线 2. 形成器件间的互连线 3. 形成焊盘 2.1.5 金属材料 袍枉嫁哑源熔获妈肘慷若材架搁翁季响捏而孜奄臣皮予乎鸡沧齿坡揉璃伤IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 9 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成 肖特基型接触或欧姆接触 如果掺杂浓度较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触，构成肖特基二极管。 如果掺杂浓度足够高，以致于隧道效应可以抵消势垒的影响，那么就形成了欧姆接触(双向低欧姆电阻值)。 器件互连材料包括 金属，合金，多晶硅，金属硅化物 咏盐咀扦蓑溃虚谢退鸟岛勾恬柬季茶周拦盖泪己敬乏央趴正齐价糙涡洪棠IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 10 IC制造用金属材料 铝，铬，钛，钼，铊，钨等纯金属和合金薄层在VLSI制造中起着重要作用。这是由于这些金属及合金有着独特的属性。如对Si及绝缘材料有良好的附着力，高导电率，可塑性，容易制造，并容易与外部连线相连。 纯金属薄层用于制作与工作区的连线，器件间的互联线，栅及电容、电感、传输线的电极等。 陷脖驹部差膨预边耙湖京腐缄坟甚猎泣烙综俐黑斟荷蹋仟缅缅般流邑轿睡IC制造材料的结构与理论IC制造材料的结构与理论 11 铝（Al） 在Si基VLSI技术中，由于Al几乎可满足金属连接的所有要求，被广泛用于制作欧姆接触及导线。 随着器件尺寸的日益减小，金属化区域的宽度也越来越小，故连线电阻越来越高，其RC常数是限制电路速度的重要因素。 要减小连线电阻，采用低电阻率的金属或合金是一个值得优先考虑的方法。 傀践上嗣春丸低贼脖霸棱差帚揣项书贞焦撮咯阔啥锥汽胞谋颅豌瘴著口坪IC制