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一. 填空
集成电路中的电阻分为金属层电阻, 多晶硅电阻和扩散电阻等. 金属层电阻的阻值只与该电阻的设计 _________ 有关; 多晶硅电阻和扩散电阻的阻值除与该电阻的设计 _________ 有关外还与导电区的 ___________ 有关.
MOS 集成电路中的寄生电容大致可分为 _______________, __________ 和__________ 三大部分.
在 MOS传输门中, NMOS管对 _______ 电平传输有损耗, PMOS管对 _______ 电平传输有损耗.
高电平噪声容限MNH表达为___________________,低电平噪声容限MNL表达为___________________, 噪声容限MN表达为___________________。
存储器可以实现组合电路。若使用128 X 8bits 的存储体可实现___________个___________输入的逻辑函数。
CMOS 与非门电路直流特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,最恶劣情况将发生在NMOS管 ___________ 的状态下, 这时输出_____电平最差.
CMOS 或非门电路直流特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,最恶劣情况将发生在NMOS管 ___________ 的状态下, 这时输出_____电平最差.
在MOS集成电路的制造实现中，NMOS晶体管是在__________型的衬底材料上制成的；PMOS晶体管是在__________型的衬底材料上制成的。
三态逻辑门电路的三种输出状态分别为高电平、____________和____________。
当NMOS晶体管的栅源电压VGSn、漏源电压VDSn满足关系VDSn =VGSn时，该NMOS晶体管处于 工作状态。
CMOS 或非门电路时间特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,将使脉冲波形的____沿变差。
CMOS 与非门电路时间特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,将使脉冲波形的____沿变差。
集成电路中的电阻分为金属层电阻, 多晶硅电阻和扩散电阻等. 金属层电阻的阻值只与该电阻的设计 _________ 有关; 多晶硅电阻和扩散电阻的阻值除与该电阻的设计几何尺寸有关外还与导电区的 ___________ 有关.
在CMOS传输门中, NMOS管对 _______ 电平传输有损耗, PMOS管对 _______ 电平传输有损耗.
CMOS 与非门电路直流特性设计中, 假设各管几何尺寸相同和工艺参数不变,最恶劣情况将发生在NMOS管 ___________ 的状态下, 这时输出低电平最差.
存储器可以实现组合电路。若使用128 X 8bits 的存储体可实现8个______输入的逻辑函数。
在MOS集成电路的制造实现中，NMOS晶体管是在__________型的衬底材料上制成的；PMOS晶体管是在__________型的衬底材料上制成的。
三态逻辑门电路的三种输出状态分别为高电平、____________和____________。
二、简答题：
1、什么是数字集成电路设计的全定制方式、半定制方式和用户自编程方式?他们各自有什么特点，适用范围怎样?
2、什么是数字系统设计过程中逻辑功能仿真，它的意义是什么?
3、什么是数字系统设计过程中的后仿真，它的意义是什么? (3分)
4、什么是单位晶体管。单位晶体管在版图及参比分析中的作用是什么？(5分)
5、单位负载与单位驱动能力是怎样表述的? (3分)
6、单位负载与单位驱动能力在数字集成电路设计中有什么意义? (3分)
7、数字集成电路的时延模型是怎样表达的? 各部份分别代表什么含义?
8、从测试的角度考虑问题，在电路设计中应采用什么样的电路元件和电路结构能有效地保证仿真和制成电路的有效测试。
9、数字集成电路中，什么是信号边沿歪斜？产生的原因是什么?
10、数字集成电路中信号边沿歪斜会产生什么不利影响，产生的原因是什么? (6分)
11、信号边沿歪斜会对数字集成电路产生什么不利影响，产生的原因是什么?
12、改善信号边沿歪斜的措施有哪些方法?这些方法的主要着眼点在哪里?
13、关键时延路径的基本概念是什么?对系统有哪些影响?
14、噪声容限的基本意义?表达形式? 当某逻辑器件的输入输出电平为：VOL = 0.5 V, VOH= 2.7 V, VIL = 0.8 V, VIH = 2.0 V, 则噪声容限值是多少。
15、静态同步系统的基本定义是什么?
16、系统总线设计中对总线上的信号传递有什么规定?
17、请画出数字倒相器直流转移特性曲线,并说明曲线中各参数的含义是什么?
18、请画出数字倒
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