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第五章第五章 面缺陷和体积缺陷面缺陷和体积缺陷 • 晶界 • 孪晶和孪晶界孪晶和孪晶界 • 晶粒尺寸强化晶粒尺寸强化 • 位错运动的其它内部障碍 • 纳米晶体材料 •• 体积或三维缺陷体积或三维缺陷 • 聚合物中的缺陷 1 晶界 Micrograph showing Micrograph showing polycrystalline of tantalum. polycrystalline of TiC. 晶态固体由大量的晶粒所组成，晶粒之间由晶界分 开。大部分的金属和陶瓷都是多晶体。多晶体的性能与 单晶体的性能有着明显的不同。 2 2m Micrograph showing polycrystalline off PZT. 3 多晶体中每个晶粒有着不同的晶体学取向 晶界是两个单晶体之间的过渡区域 4 工业上晶粒的级别可根据常用的 ASTM （（thethe AmericanAmerican SocietySociety forfor TestingTesting andand Materials）标准确定： N = 2n-1 N ：放大 100 倍时每平方英寸的晶粒个数, n ：晶粒的级别晶粒的级别。 5 • 在研究中在研究中，人们通常用人们通常用截线法截线法 （（lilinear iintterceptt technique ）确定晶粒尺寸。即在显微图象上画数条直线 段，数与线段相截的晶粒个数 N ，则平均线截距： l _ L ll N M l • L 为直线段的长度，M 为图片的放大倍数。 3 _ 65 10 ll 77.1414mm 7 1300 平均线截距是否就是晶粒尺寸？ 6 平均线截距平均线截距并不表示并不表示晶粒尺寸晶粒尺寸，，而是与而是与一个基本尺寸参个基本尺寸参 数 S 有以下关系： v _ 2 l deHoff and Rhines SS v S 为单位体积的晶界面积。作为一级近似，将晶粒看成是 v 球形的，则得到如下晶界面积和晶粒体积之间的关系：