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晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 晶闸管的结构与工作原理 2.3.1 其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，其它都因不易控制而难以应用于实践，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段 晶闸管的结构与工作原理 2.3.1 晶闸管的基本特性 1. 静态特性 总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下(电路示意)： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 2.3.2 晶闸管的伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性 图2-9 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 晶闸管的基本特性 2.3.2 1) 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 图2-9 晶闸管的伏安特性 晶闸管的基本特性 2.3.2 2) 反向特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 图2-9 晶闸管的伏安特性 晶闸管的基本特性 2.3.2 1) 开通过程 延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。 开通时间tgt以上两者之和， tgt=td+ tr （2-6） 普通晶闸管延迟时为0.5~1.5?s，上升时间为0.5~3?s。 图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形 晶闸管的基本特性 2.3.2 2. 动态特性 2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间 正向阻断恢复时间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间 关断时间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr （2-7)） 普通晶闸管的关断时间约几百微秒。 图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形 晶闸管的基本特性 2.3.2 1. 电压定额 ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 正向峰值电压。 通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。 —— 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 1)?断态重复峰值电压UDRM 2)?反向重复峰值电压URRM 3)?通态（峰值）电压UTM 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.3 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 1)??通态平均电流 IT(AV) ——晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管。应留一定的裕量，一般取1.5~2倍。 2.3.3 晶闸管的主要参数 ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 。 4) 浪涌电流ITSM ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 3)? 擎住电流 IL ——使晶闸管