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2017-08-21 发布于上海
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cd掺杂bzcn薄膜的制备及其介电性能 preparation of cd-doped bzcn thin film and its dielectric properties.pdf

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cd掺杂bzcn薄膜的制备及其介电性能 preparation of cd-doped bzcn thin film and its dielectric properties

第26 卷第5 期电子元件与材料 Vol.26 No.5 2007 年5 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS May 2007 研究与试制 Cd 掺杂BZCN 薄膜的制备及其介电性能张凯蒋书文程鹏张鹰齐增亮电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054 摘要: 用射频磁控溅射法在Pt/Si 基片上制备了立方烧绿石结构的Cd 掺杂Bi Zn Cd Nb O (BZCN)薄膜研 1.5 0.7 0.3 1.5 7 究了衬底温度对薄膜结构表面形貌以及介电性能的影响结果表明沉积温度为600 退火温度为700 制备的薄 6 膜,在测试频率为100 kHz 测试电场强度为1.33×10 V/cm 的条件下介电可调率达到11.8 % tan δ 小于0.004 2 关键词: 无机非金属材料 Cd 掺杂BZCN 薄膜射频磁控溅射介电性能介电可调率中图分类号: TB43 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 2007 05-0033-03 Preparation of Cd-doped BZCN thin film and its dielectric properties ZHANG Kai, JIANG Shu-wen, CHENG Peng, ZHANG Ying, QI Zhen-liang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronics Science and Technology, Chengdu 610054, China) Abstract: The Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb 1.5O7 (BZCN) thin films of cubic pyrochlore phase were prepared on Pt/Si substrate using RF magnetron sputtering method. Investigated were the effects of substrate temperature on the structures and surface morphology, dielectric properties of films. The BZCN thin films sputtered with a deposited temperature of 600 and annealed temperature at 700 showed a dielectric tunability of 11.8 %, tan δ lower than 0.0042 at E of 1.33 ×106 V/cm and measurement frequency of 100 kHz . Key words: non-metallic inorganic material; Cd-dope