fram mcu将数据写入速度提升100倍功耗降低250倍.pdfVIP

技术前沿PLSE fK，w¨L…小34j(、F-‘”“ 心*键宇t 征过去20年的时间盟．MCU并没有取得高。如果用FRAM诚取与传输都是往同步高速 太大的技术创新．怛在MCU的存储功能进行，懈tinJ的同叫也让功耗大幅降低。 部分．簋州f*器(TI)日前发布丁垒球首颗配置 如在传感器彀培记录上，s删RoHeri,女．． FRAMflqMCU，TI剐总裁．微控制器业务部总经其它存储介质由于功耗的原因而对恃感嚣的 理ScottRoller说。这是我1的一个新创意。” 崔披地点要有所限制．增加了推护成本。而 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多忧势删FRAM的MCU避过能量收集技术．使抖 呢?ScuttRoller举例嘴明：Tl救r一个实验．能在更多的位置安放更多的f々感器。 如果要写I3鼬∞的数据到DRAM里需要花1秒时 山于目前McU存储介质大都采用 间．大约要Jfl22001JA的功耗去做写的功能．但 如粜用FRAM来做只要10ms，9uA就可以把数据视为第一比较对象。如有限的数据更新，写人 写完．通过比较可以看到，如果要写很多教据 道度与连续且可靠的监雠存赭和RF传输- 到Flash等传统存储嚣骓，FRAM速鹰会更快而选择性监规与连续监视。消牦长达1个月的 所需功耗却晟低。 电池寿命与耗用不到6小酬的电池寿命；数 从擦写数据次数来看．一般存储器写一万 据块级撺除匣编程与位级存取，需要冗余 (镜像)存储块与可在电源丢失的情况下保 来次觑到了极限，可FRAM可以在写了10“次方 后仍可继续进行撺写操作，另外．由于FRAM速证写入撵作等。 ROIler TIMSP430中闽证业务拓艟经理，J冉表 度和SDRAM写的速度差不多相同，Scott 示，此次推出的MSP430FR57xxFRAM系列 说．在健个MCU架梅里，TI散了整体化的粪 MCU与基于闪存和EEPROM的激控制器相比 选就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候 FRAM可以当SDRAM使用．也可以充当Ftash以uT确保100倍以h的数据写入速度和250惜的 FRAM 厦EEpROM击使用，这样整阼存储貉用起来效功耗降幅。MSP430FR57xxMCU的具 率更高，瞳用更方便．迷韪个全新的MCU存体优势丧现花 一、当从FRAM中执行代码 储技术。 时．ir将目前业界驻佳功牦水平降低50％之 在应用屡上FRAM适用于什幺地方呢?Scott Roi{er认为，应用庄传感嚣上FRAM的优势”r明30A(实时蚶钟模式J；：，超过100玎也次 ’嚣：思黧iR体删$，FRAMw快a将*盛器得到的数据的可写^次数能支怿连续数据录^，从而无 需采用昂赍的外部EEPROM殪侬墒电池供电 MsP430FRs7，x记录下束，如果用F1a幽米做就会数据写的时间 #8， 般长，体感器数据读完后冉写反复m】断性