Insb薄膜分子束外延技术研究-激光与红外.PDFVIP

第４３卷　 第１１期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．１１ 　 ２０１３年１１月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，２０１３ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１３）１１１２５６０４ ·红外材料与器件 · ＩｎＳｂ薄膜分子束外延技术研究 刘　铭，程　鹏，肖　钰，折伟林，尚林涛，巩　锋，周立庆 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：ＩｎＳｂ材料由于其优异的光电性能，一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温 工作是ＩｎＳｂ发展的一个重要方向，开发分子束外延ＩｎＳｂ材料是实现高温工作的基础。本文 采用分子束外延工艺生长获得了高质量的ＩｎＳｂ薄膜，通过金相显微镜、Ｘ射线双晶衍射仪、原 子力显微镜、ＳＥＭ和ＥＤＸ等检测手段对ＩｎＳｂ外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析，并 采用标准的ＩｎＳｂ器件工艺制备１２８×１２８焦平面探测器芯片进行材料的验证，结果表明该材 料性能可以满足制备高性能器件的要求。 关键词：ＩｎＳｂ外延膜；分子束外延；晶体质量；１２８×１２８ 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１３．１１．１２ ＲｅｓｅａｒｃｈｏｆＩｎＳｂｆｉｌｍｇｒｏｗｔｈｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ ＬＩＵＭｉｎｇ，ＣＨＥＮＧＰｅｎｇ，ＸＩＡＯＹｕ，ＳＨＥＷｅｉｌｉｎ，ＳＨＡＮＧＬｉｎｔａｏ，ＧＯＮＧＦｅｎｇ，ＺＨＯＵｌｉｑｉｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＦｏｒｔｈｅｅｘｃｅｌｌｅｎｔｏｐｔｉｃａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＳｂ，ｔｈｅＩｎＳｂｍａｔｅｒｉａｌｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｉｎ ｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｔｈｅｆｉｅｌｄｏｆｍｉｌｉｔａｒｙＨｉｇｈｏｐｅｒａｔｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（ＨＯＴ）ＦＰＡｓｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｆｏｒＩｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，ａｎｄｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙＩｎＳｂｍａｔｅｒｉａｌｃａｎａｃｈｉｅｖｅｈｉｇｈｔｅｍ ｐｅｒａｔｕｒｅｗｏｒｋＨｉｇｈｑｕａｌｉｔｙＩｎＳｂｔｈｉｎｆｉｌｍｇｒｏｗｔｈｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ，ａｎｄｔｈｅＩｎＳｂｅｐｉｔａｘｉａｌ ｆｉｌｍ’ｓｃｒｙｓｔａｌｑｕａｌｉｔｙｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｓｕｒｆａｃｅｄｅｆｅｃｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄｂｙｕｓｉｎｇｏｐｔｉｃａｌｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ｄｏｕｂｌｅｃｒｙｓｔａｌ Ｘｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＭａｎｄＥＤＸＳｔａｎｄａｒｄ１２８×１２８ａｒｒａｙｓＩｎＳｂｃｈｉｐｉｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｆｒｏｍ ｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌ，ａｎｄａｌｌｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｈａｖｅｒｅａｃｈｅｄｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓｏｆｈｉｇｈｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｄｅｖｉｃｅｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒ；ＭＢＥ；ｃｒｙｓｔａｌＱｕａｌｉｔｙ；１２８×１２８ １　前　言 度和厚度），使吸收区可以达到最高量子效率和最 ［２］ 第三代的红外探测器逐渐向高性能低成本方向 小暗电流 。用外延薄膜制作的器件理