MOCVD生长GaN薄膜的实时干涉曲线分析-中国LED网.PDFVIP

维普资讯 第27卷 第 11期 武 汉 理 工 大 学 学 报 VO1．27 N0．11 2005年 11月 JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Nov．2005 MOCVD生长 GaN薄膜的实时干涉 曲线分析 李翠云 2，朱 华1，2 (1．南昌大学材料科学研究所，南昌330047；2．景德镇陶瓷学院机电系，景德镇 333001) 摘 要：金属有机化学气相沉积 (MCK~VD)生长系统中通常用激光干涉曲线对材料生长进行实时监控。根据薄膜干涉 原理，通过建立反射模型，对GaN薄膜的生长干涉曲线振幅的变化与其生长模式及表面粗糙度的关系进行了详细的阐 述和分析。结果表明：干涉曲线中的振幅会随薄膜表面粗糙度的增大而衰减，其衰减程度与粗糙 的变化快慢有关，根据 材料的实时干涉曲线可揭示其在不同生长过程中的生长模式和定量分析样品表面粗糙度。 关键词： MOCVD； 干涉曲线； 反射率； 粗糙度 中图分类号： O484．41 文献标志码：A 文章编号：167l一4431(2005)ll一0018—03 CurveAnalysisofReal-timeInterferenceinGaN Film GrowthbyMOCVD LICui—yun 一．ZHU Hua ， (1．InstituteofMaterialsScience，NanchangUniversity，Nanchang330047，China；2．DepartmentofMechanics， JingdezhenCeramicsInstitute，Jingdezhen333001，China) Abstract： Materialgrowthisnormallyreal—timemonitoredbyusinglaserinterferencecurveinthemetalorganicchemicalva— pordeposition(MOCVD)growthsystem．AccordingtOthethinfilm interferenceprinciple，detailedelaborationandanalysis aboutthedependencesoftheoscillationma plitudechangeofGaN thinfilm growthinterferencecurveonthethinfilm growth patternsandthesurfaceroughnessthroughestablishingthinfilm reflectionmodelweremade．Theresultindicatedthatthevari— ationofoscillationma plitudeinthinfilm interferencecurvewasrelatedtoitssurfaceroughness，ifthematerialevengrow，the amplitudeofinterferencecurveisevenandnochange；ifthematerialnon—evengrow andthesurfacewasroughness，thema pli— tudeofinterferencecurvewaswaekende withincreasingthinfilm surfaceroughness． Keywords： M0CⅥ)： interferencecurve； reflectance； roughness MOCVD即金属有机化学气相沉积_1J，是 目前应用十分广泛的气相外延生长技术。用MOCVD系统生 长薄膜材料时，通常在其设备上安装实时监控系统，通过激光入射到薄膜表面产生的干涉曲线对材料的生长 进行实时监控。用激光干涉曲线测量薄膜的厚度已在材料制备中被广泛应用[~4]，但在监控中经常发现不 同生长过程中的干涉曲线的振幅变化不同，干涉曲线的变化与材料的生长模式及样品表面