碳化硅陶瓷实验总结.doc

小结 本实验的目的是探讨将晶锭或晶圆线切割的废料直接作为原料，加入适量的烧结助剂和造孔剂，以研制具有良好的机械和热性能的 SiC 陶瓷。多晶硅线切割回收料，其主要成份为Si，平均粒径为2.002μm。 三氧化二铁，平均粒径为0.172μm。碳化硅，平均粒径为5.743μm.以平均粒径为 36.46μm 的普通石墨粉为造孔剂，称量好的原料采用球磨机行星式球磨机进行干磨,采用氧化铝球为球磨介质,球磨时间为1h，转速为400rad/min。球磨后过80目筛子，再用压片机压制成条。压好后放入井式炉中烧制，最后再检测碳化硅材料的密度,机械强度等性能。 第一阶段：对纯试样进行研究 1.1研究纯试样的密度 多晶硅线切割废料和工业碳化硅粉按不同质量百分比配料,具体实验配方如下表: 配方号 Si SiC SC1 30% 70% SC2 40% 60% SC3 50% 50% SC4 60% 40% SC5 70% 30% SC6 10% 90% SC7 15% 85% SC8 20% 80% 首先，称样，倒入球磨罐中放到行星式球磨机中球磨。转速400rad/min，球磨1h。球磨好后倒入研钵中研磨，再过80目的筛子，过完后用压片机压制压条，将试样压成条，称取5g试样进行压制。压制的样品的压力如下: 试样 压力/MPa 数量/个 SC1 20 6 SC2 20 6 SC3 20 6 SC4 20 6 SC5 20 6 SC6 20 6 SC7 20 6 SC8 20 6 试样压好条后，先研究不同温度对各试样的密度的影响。烧成温度选择1300℃，1320℃，1350℃，1400℃,1420℃。烧成制度为4.5h升温到选择温度，保温1h。再用密度仪测量各试样的密度。得到数据如下： 试样好 1300℃密度／ g/cm3 1320℃密度／g/cm3 1350℃密度/ g/cm3 1400℃密度／g/cm3 1420℃密度／g/cm3 SC1 2.483 2.283 2.471 2.503 2.487 SC2 2.483 2.432 2.422 2.502 2.494 SC3 2.277 2.329 2.318 2.345 2.329 SC4 2.252 2.306 2.223 2.26 2.253 SC5 2.214 2.286 2.183 2.162 2.174 SC6 2.531 2.544 2.531 3.003 3.044 SC7 2.501 2.534 2.508 3.034 3.025 SC8 2.468 2.44 2.492 2.958 2.981 Origin图表如下： 不同温度对试样密度的影响 通过上图可以发现，随着温度的升高，样品的密度在增加。并且，随着碳化硅含量的增加，密度在增加。 1.2纯试样的抗弯强度 根据抗弯强度公式，利于强度测量仪测得试样的抗弯强度如下： 试样烧成温度 1300℃ 1320℃ 1350℃ 1400℃ 1420℃ SC1强度/MPa 7.02 8.93 9.16 7.59 11.67 SC2强度/MPa 7.18 11.00 26.00 11.01 15.94 SC3强度/MPa 18.38 15.70 32.08 23.05 16.06 SC4强度/MPa 12.40 23.22 31.31 15.00 23.28 SC5强度/MPa 11.47 10.03 16.25 22.51 16.64 SC6强度/MPa #DIV/0! #DIV/0! 4.57 18.56 12.50 SC7强度/MPa 7.32 10.00 6.68 16.49 16.58 SC8强度/MPa #DIV/0! 6.42 14.15 24.93 16.68 Origin图表如下： 不同温度下试样的抗弯强度 由图可以看出：在随着温度的变化，试样的抗弯强度先增大后减小，在相同温度下，试样的强度，随着碳化硅含量的减小，强度先增大后减小，在多晶硅线切割废料：碳化硅粉=5：5时最大。 第二阶段：研究对试样性能的影响 2.1研究不同原料对试样密度，强度的影响 多晶硅线切割废料：石墨粉配料,然后改变原料配方的种类分别设计不同的实验配方。添加的原料是：碳化硅粉，超细氧化铝粉。具体的组成的实验配方如下表: 配方号 Si C SiC Al2O3 SC9 30% 20% 50% - SC10 60% 10% - 30% 试样都选用4.5h升温到1350℃,然后2小时升温到1450℃，中间每个20℃取出一片试样放入800℃马弗炉中的烧成制度。